Categoría

Transistores, Diodos, Tiristores

 358 Productos industriales
 
 
Empresas 1 a 15 de 60
Fairchild Semiconductor
Circuito de control puerta IGBT Fairchild Semiconductor
Ocultar la traducción

El FAN7382, un conductor monolítico IC de la puerta del mitad-puente, puede conducir los MOSFETs e IGBTs que funcionan hasta +600V. El proceso de alto voltaje de Fairchild y el ruido del común-modo que cancela técnica proporciona la operación estable del conductor del alto-lado bajo altas circunstancias del ruido de dv/dt. Un circuito llano avanzado del cambio permite la operación del conductor de ...

Circuito de control puerta MOSFET Fairchild Semiconductor
Ocultar la traducción

El FAN7388 es tres monolíticos que el mitad-puente puerta-conduce el IC diseñado para de alto voltaje, funcionamiento de los MOSFETs de conducción de alta velocidad y de IGBTs hasta +600V.

El proceso de alto voltaje de Fairchild y el ruido del común-modo que cancela técnica proporcionan la operación estable de los conductores del alto-lado bajo circunstancias del ruido de high-dv/dt.

Un ...

Controlador de TRIAC Fairchild Semiconductor
Ocultar la traducción

Las series de MOC301XM y de MOC302XM son dispositivos óptico aislados del conductor del triac. Estos dispositivos contienen un diodo de emisión infrarrojo del GaAs y un interruptor bilateral activado ligero del silicio, que funciona como un triac. Se diseñan para interconectar entre los controles electrónicos y los triac de la energía para controlar las cargas resistentes e inductivas para 115 operaciones ...

International Rectifier
Circuito de control puerta IGBT International Rectifier
Ocultar la traducción

OM9402SP
conductor de la puerta del solo canal Hola-Rel IGBT de 25V 8A en un paquete de SP-10A

Circuito de control puerta MOSFET International Rectifier
Ocultar la traducción

El conductor ICs de la puerta del MOSFET y de IGBT del rectificador internacional es la solución más simple, más pequeña y más barata conducir los MOSFETs o IGBTs hasta 1200V en usos hasta 12kW, y puede ahorrar sobre el 30% en cuenta de la parte en un 50% un área más pequeña del PWB comparada a un acoplador óptico discreto o a una solución basada transformador. La adición de pocos componentes externos, ...

HITACHI Industrial Components & Equipment
Diodo de potencia HITACHI Industrial Components & Equipment
Ocultar la traducción

Formación versátil de los diodos de la energía incluyendo los tipos de cristal de la alta confiabilidad, los dispositivos de la supresión de la oleada para proteger el equipo electrónico (especialmente en usos automotores) y los tipos de alto voltaje para la operación de la exhibición en los de alta frecuencia. Paquetes del conductor axial, press-fit y superficiales del montaje disponibles.

IGBT HITACHI Industrial Components & Equipment
Ocultar la traducción

Alto voltaje, módulos 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV y 6.5kV del poder más elevado IGBT, hasta 2400A. Alta durabilidad termal de la fatiga, de alta velocidad y de pequeñas pérdidas. Los paquetes incluyen tipos del estándar europeo.

OSRAM Opto Semiconductors
Fototransistor OSRAM Opto Semiconductors
Ocultar la traducción

Fototransistores del silicio:
Varios tipos del paquete (SMT y a través del agujero); con o sin el filtro de luz del día.

Infineon Technologies - Sensors
Diodo Schottky Infineon Technologies - Sensors
Ocultar la traducción

¡Diodos de Schottky del carburo de silicio - NUEVO 3G ahora disponible!

El carburo de silicio (SiC) es un material revolucionario para los semiconductores de la energía, sus características físicas supera los dispositivos de energía del Si- y de GaN en gran medida.

Características

* Comportamiento de la conmutación de la prueba patrón
* Ninguna recuperación reversa
...

Circuito de control puerta MOSFET Infineon Technologies - Sensors
Ocultar la traducción

Ofrecemos a nueva familia del conductor ICs del IGBT de EiceDRIVER/de la puerta del MOSFET para los usos de 600V hasta voltajes de bloqueo 1200V. De acuerdo con tecnologías innovadoras incluyendo la tecnología thin-film del Silicon-On-Insulator (600V) y la tecnología del transformador de Coreless (1200V), una confiabilidad más alta, pérdidas más bajas y un mejor funcionamiento puede ser alcanzado.

La ...

Diodo Infineon Technologies - Sensors
Ocultar la traducción

Diodo de conmutación del silicio
Para los usos de alta velocidad de la conmutación
(RoHS obediente) package1 Pb-libres)
Calificado acordando a AEC Q101

STMicroelectronics
Circuito de control puerta MOSFET STMicroelectronics
Ocultar la traducción

El L6390 es un dispositivo de alto voltaje manufacturado con la tecnología "FUERA DE LÍNEA" del BCD. Es un solo conductor de la puerta del mitad-puente de la viruta para el MOSFET o IGBT de la energía del canal N.

La alta sección (flotante) lateral se diseña para hacer frente un carril del voltaje a 600 V. Las entradas de la lógica son llanura compatible de CMOS/TTL a 3.3 V para microcontroller/DSP ...

DIAC STMicroelectronics
Ocultar la traducción

Funcionando como un diodo del disparador con una referencia de tensión fija, la serie DB3/DB4 se puede utilizar conjuntamente con los triac para los circuitos de control simplificados de la puerta o como elemento el comenzar en lastres fluorenscent de la lámpara.

Una nueva versión superficial del montaje está disponible ahora en el paquete SOT-23, proveyendo del espacio y de la compatibilidad ...

Diodo STMicroelectronics
Ocultar la traducción

Un rendimiento más alto nivela en términos de comportamiento de la recuperación, temperatura de ensambladura, corriente y pérdidas de la conmutación, rectificadores de la salida del ST del lugar en el filo de este sector.
De acuerdo con una lista grande de la barrera de Schottky (señal y energía), incluyendo el nuevo grado de la avalancha, Turbo ultrarrápido bipolar 2 y los diodos, los dispositivos ...

Toshiba America Electronics Components
Diodo Toshiba America Electronics Components
Ocultar la traducción

Toshiba ofrece una formación amplia de diodos incluyendo de fines generales, rápidamente y la recuperación ultrarrápida, Schottky, diodos de PiN para el RF cambia, los varactores para los osciladores voltaje-controlados (VCO), y los diodos para la protección del ESD. Nuestro superficie-montar los productos del diodo están disponible en muchos tipos y tamaños del paquete que los hacen alto convenientes ...

Transistor de efecto de campo (FET) Toshiba America Electronics Components
Ocultar la traducción

FET del GaAs de la ENERGÍA de la MICROONDA
TIM3742-12UL

CARACTERÍSTICAS
-  PODER MÁS ELEVADO
P1dB=41.5dBm en 3.7GHz a 4.2GHz - ALTO AUMENTO
G1dB=11.5dB en 4.4GHz a 5.0GHz - VENDA AMPLIA INTERNO EMPAREJÓ EL FET - PAQUETE SELLADO HERMÉTICAMENTE

Transistor de GaAs de microondas de efecto de campo (FET) Toshiba America Electronics Components
Ocultar la traducción

Toshiba ofrece una familia de producto ultra linear de los FETs del GaAs, señalada la familia de la UL, para la gama de frecuencia de la C-Venda con un aumento más alto, una distorsión de intermodulación más baja y una eficacia más alta. La familia de producto de la UL incluye productos a partir de 4 vatios de (w) hasta 25W y fue convertida para la radio digital de la microonda de punto a punto para ...

Renesas Electronics
Diodo Renesas Electronics

Renesas diodes support higher performance, smaller, and lighter mobile devices.
Renesas continues to take the lead with diodes such as PIN diodes that achieve
extremely low capacity through an original trench structure.

Tiristor Renesas Electronics

Renesas offer a wealth of triac and thyristor devices, best support for
white goods such as washing machines or rice cookers and also for strobe of digital
still camera or silver camera, so that you may cover many diversified applications and fulfill your needs.


Features

* Products available with guaranteed junction temperature of 150°C (600V, 700V, 800V)
...

Transistor Renesas Electronics

Renesas transistors offer support for customers' systems by supporting a wide variety of
applications, from applications requiring ultra-small size to large current or amplification applications.

Freescale
Transistor de potencia RF Freescale
Ocultar la traducción

Ofrecimiento de una lista amplia de los productos de la energía del RF, de los mercados numerosos del RF de los servicios del semiconductor de Freescale incluyendo la infraestructura sin hilos, de la difusión y de mercados industriales, científicos y médicos. Las ofrendas de producto principales de la energía del RF de Freescale cubren las demandas cada vez mayores del ISMO, de la microonda y de los ...

SCHURTER
Circuito de control puerta IGBT  PSDM-6O / PSDM-6T SCHURTER
Ocultar la traducción

Descripción
Módulo del conductor del – para conducir seguro de la energía de IGBT o del MOSFET
transistores
Coverter del – DC/DC incluido en módulo
La salida de diagnóstico VSM del – permite la supervisión de la salida del convertidor
Aislamiento galvánico del – hasta 3500 VAC
Sobreintensidad de corriente del – y protección del cortocircuito
Estándares
EN 61248-5 del ...

Texas Instruments Semiconductor
Circuito de control puerta MOSFET Texas Instruments Semiconductor
Ocultar la traducción

Conductor del MOSFET

Los productos análogos de la gerencia de la energía del conductor del MOSFET del TI son un subconjunto las soluciones de la fuente de alimentación análogo de AC/DC y de DC/DC. Esta página es su recurso para transferir las fichas técnicas, notas de uso, muestras de la orden y para utilizar búsqueda paramétrica para investigar otra las soluciones análogas Gerencia-relacionadas ...

VISHAY
Circuito de control puerta IGBT VISHAY
Ocultar la traducción

El VO3150A consiste en un LED óptico juntado a
circuito integrado con una etapa de la salida de energía. Esto
el acoplador óptico se adapta ideal para la energía de conducción IGBTs y los MOSFETs usados en usos del inversor del control de motor.
la alta gama del voltaje de funcionamiento de la etapa de la salida proporciona los voltajes de la impulsión requeridos por los dispositivos ...

Diodo VISHAY
Ocultar la traducción

Vishay ofrece una gama completa de los productos del rectificador, incluyendo el puente, Schottky, y ayuna y ultrarrápidos los dispositivos de la recuperación. Más de 20 opciones del paquete están disponibles, incluyendo el compacto superficie-montan el SMP, SMPC, y MicroSMP.

Diodo alta velocidad VISHAY
Ocultar la traducción

La lista del diodo de Vishay incluye los dispositivos de alto voltaje y small-signal y trata el espectro completo de sistemas electrónicos de usos industriales a los dispositivos personales handheld más pequeños de las multimedias. Los productos del diodo de Vishay incluyen los diodos de Schottky y de conmutación, rectificadores de alto voltaje, supresores transitorios del voltaje para los órdenes ...

ON Semiconductor
Circuito de control puerta IGBT ON Semiconductor
Ocultar la traducción

Conductores del MOSFET - conductores de IGBT
EN el semiconductor suministra conductores del MOSFET y los conductores de IGBT para el lado bajo, el alto lado, y los circuitos de impulsión del mitad-puente.

Circuito de control puerta MOSFET ON Semiconductor
Ocultar la traducción

Conductores del MOSFET - conductores de IGBT
EN el semiconductor suministra conductores del MOSFET y los conductores de IGBT para el lado bajo, el alto lado, y los circuitos de impulsión del mitad-puente.

Diodo ON Semiconductor
Ocultar la traducción

Altos rectificadores de la sobretensión - rectificadores delanteros bajos de la caída de voltaje
EN el semiconductor suministra los rectificadores estándar y rápidos de la recuperación para los circuitos que pudieron encontrar altas sobretensiones.

BOURNS
Diodo BOURNS
Ocultar la traducción

Para ayudar a esta campaña de la miniaturización, una nueva generación de diodos de la viruta de Bourns ha emergido que ofrece la capacidad para proveer de un diodo de silicio gastos indirectos de empaquetado mínimos. Los pequeños 1206 diodos de la viruta de la señal 0603, 1005 y son sin plomo con terminaciones plateadas Cu/Ni/Au mientras que los otros paquetes (SMA, SMB, SMC, 1408, 1607, 2010, 2419, ...

Diodo alta velocidad BOURNS
Ocultar la traducción

Características
■ Dispositivo sin plomo (compliant*) de RoHS ■ Perfil bajo
■ Pérdida de las energías bajas, eficacia alta
■ Clasificación de la UL 94V-0
Usos
■ Fuentes de alimentación de alta frecuencia de la conmutación ■ Inversores
■ El rodar libre
■ Protección de la polaridad ...

Diodo Schottky BOURNS
Ocultar la traducción

Características
■ Sin plomo como &#x025A0 estándar; Compliant* de RoHS
■ Sin plomo
■ Carga almacenada punto bajo
Usos
■ Teléfonos móviles
■ PDAs
■ PC de escritorio y cuadernos ■ Cámaras digitales
■ Jugadores MP3

recherche-cat www di Es 2012-02-07-15