Fotodiodos InGaAs

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs

... Los fotodiodos y LED de Jenoptik pueden integrarse fácilmente en sus sistemas actuales o adaptarse a aplicaciones optoelectrónicas, además de eliminar la necesidad de filtros externos. Fotodiodos y LED ...

fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G15553 series

... - Área activa G15553-003C: φ0,3 mm - Encapsulado en miniatura: 2 × 2 × 1 mm - Tolerancia de posición precisa del chip: ±0,075 mm El chip de este producto no está sellado y está expuesto. Partes como los electrodos del chip no están protegidas ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G12183-210KA-03

... Tipo de longitud de onda larga (longitud de onda de corte: 2,55 μm) Características - Longitud de onda de corte: 2,55 μm - Refrigeración TE de dos etapas - Bajo coste - Área fotosensible: φ1 mm - Bajo nivel de ruido - Alta sensibilidad - ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G1-32 series

... Hemos dispuesto el fotodiodo y la lente en las posiciones óptimas para que este fotodiodo PIN de InGaAs de tipo receptáculo haya reducido significativamente las reflexiones múltiples ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
C10439-15

... Integra fotodiodo para fotometría de precisión con amplificador de bajo ruido [Área fotosensible 2.4 × 2,4 mm (Si), φ1 mm (InGaAs), detector de dos colores integrado] Los módulos de fotodiodos ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G14858-0020AA

... APD de InGaAs que reduce en gran medida la corriente oscura Este APD (fotodiodo de avalancha) de InGaAs reduce en gran medida la corriente oscura con respecto a los productos existentes ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
G8931 series

... El G8931-04 es un APD de InGaAs que ofrece una respuesta de alta velocidad de 2,5 Gbps necesaria para comunicaciones de fibra óptica de línea troncal como SONET (red óptica síncrona), G-PON (red óptica pasiva con capacidad ...

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HAMAMATSU
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD5-40

... Descripción Este chip de fotodiodo de avalancha de 10Gbps (chip APD) es un tipo de estructura de electrodo de tierra-señal-tierra (GSG), con un tamaño de área activa iluminada superior de Φ40μm. Las características de ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD5-40S-X

... Descripción El chip detector óptico APD de 10Gbps es de estructura de electrodo GSG, para el frente a la luz del chip detector de luz de avalancha de alta velocidad, el tamaño del área fotosensible es de 40um, las principales características ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD4-50

... Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto se caracteriza por tener el ánodo en la parte ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-D4-60

... Descripción Este chip de fotodiodo de 3,1Gbps es una estructura planar InGaAs/InP PIN y un chip de fotodiodo digital iluminado por la parte superior, el tamaño del área activa es de ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD4-50T

... Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto se caracteriza por tener el ánodo en la parte ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD4-50G

... Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto se caracteriza por tener el ánodo en la parte ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-SPD-51

... Descripción Este chip de fotodiodo de alta sensibilidad (super chip PD) tiene una estructura planar InGaAs/InP. Se caracteriza por su alta capacidad de respuesta, baja capacitancia y baja corriente oscura, ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-D3-70-04

... Descripción Este chip de fotodiodo de 2,5Gbps es una estructura planar InGaAs/InP PIN y un chip de fotodiodo digital iluminado por la parte superior, el tamaño del área activa es de ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-APD4-55-01

... Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto se caracteriza por tener el ánodo en la parte ...

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fotodiodo InGaAs
fotodiodo InGaAs
XSJ-10-M-200-01

... Descripción Este chip de fotodiodo PIN de monitorización InGaAs/InP iluminado en la parte superior con una gran área activa, que tiene una estructura planar, ánodo en la parte superior y cátodo en la ...

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fotodiodo avalancha
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... l producto Lumentum 1310/1550 nm 10G XFP ROSA de alta fiabilidad, diseñado específicamente para el transceptor XFP, ofrece un excelente rendimiento a temperaturas de funcionamiento extendidas en aplicaciones de alta velocidad de hasta ...

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fotodiodo InGaAs
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EPM 6xx-series

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fotodiodo InGaAs
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ETX 500/1000

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fotodiodo InGaAs
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