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Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...
... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos ...
Corriente: 5 A
Tensión: 500 V
... Tomas para transistores de potencia 5.paso de 45 mm / 0,215 Alta temperatura Baja emisión de gases Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Los zócalos ...
Corriente: 5 A
... Tomas para transistores de potencia Para TO-247(4pin) Alta Temp. ℃ Baja emisión de gases Esta toma de prueba para transistores de potencia se adapta al encapsulado TO-247(4pin) ...
Corriente: 5 A
... Tomas de prueba para transistores de potencia,Paso personalizado Alta Corriente Paso Tipo estándar／Through Hole Type Baja emisión de gases Si desea evaluar un dispositivo que no se ajusta a las especificaciones ...
Tensión: 110, 265 V
... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control ...
Power Integrations
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe ...
Diotec
Corriente: 200 mA
Tensión: 40 mV
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales, Conmutación, Amplificación Grado comercial l) Características Uso general Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Corriente: 100 mA
Tensión: 65, 45, 30 V
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales Conmutación Amplificación Grado comercial / industrial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101 *) Sufijo -AQ: en cualificación AEC-Q101 *) Características Propósito general Tres grupos de ganancia ...
Diotec
Corriente: 20 A
Tensión: 650 V
... alta de la industria (Ron*Ciss、Ron*Coss). Es un producto de la serie EcoGaN™ que contribuye a la eficiencia de conversión de potencia y a la reducción de tamaño aprovechando al máximo la baja resistencia ON y la conmutación ...
ROHM Semiconductor
... Los fotoacopladores para automoción (salida de transistor, salida de CI) están disponibles en paquetes pequeños con alta resistencia dieléctrica (3,75 KV) y funcionamiento a altas temperaturas, hasta 135 °C. Esto facilita ...
Tensión: 7,5 V
... utilización de un amplio rango de frecuencias Protección ESD integrada Mejoras de estabilidad integradas Banda ancha: plena potencia en toda la banda Rendimiento térmico excepcional Robustez extrema Alta linealidad para: ...
Corriente: -0,5 A
Tensión: -50 V
... 50A02CH es un transistor bipolar, bajo VCE(sat), PNP simple para aplicaciones de amplificación de propósito general de baja frecuencia. Aplicaciones Amplificador de baja frecuencia Conmutación de alta velocidad Accionamiento ...
Fairchild Semiconductor
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control y protección digitales y analógicos completos que accionan un MOSFET de potencia ...
STMicroelectronics
Tensión: -400 V - 1.000 V
... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y ...
Tensión: 45 V
... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones ...
Central Semiconductor
Corriente: 1 A - 5 A
Tensión: 12 V - 400 V
... mercado en el campo de los transistores bipolares. Utilizando su amplia gama de empaquetado interno y tecnología de silicio superior, Diodes está en una posición ideal para satisfacer sus necesidades de aplicación de ...
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensión: 8 V - 35 V
... y la distancia de comunicación es superior a 50m; Desde el controlador móvil del grupo electrógeno se puede controlar la potencia o despertar el controlador del grupo electrógeno; Amplio rango de suministro DC (8~35)V, ...
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