LA FAMILIA de ModSTACK incluye los módulos de las tecnologías IGBT de Infineon con el conductor de IGBT para alcanzar grados actuales a partir del 100 que A hasta A 1600 en la línea suministra la CA de 690 V. Los interfaces apropiados y la gerencia termal son incluidos. Todas las topologías del inversor (B6U+B6I; B6I+B6Ietc.) y las varias topologías del convertidor están disponibles.
LA ...
Descripción
Módulo del conductor del – para conducir seguro de la energía de IGBT o del MOSFET
transistores
Coverter del – DC/DC incluido en módulo
La salida de diagnóstico VSM del – permite la supervisión de la salida del convertidor
Aislamiento galvánico del – hasta 3500 VAC
Sobreintensidad de corriente del – y protección del cortocircuito
Estándares
EN 61248-5 del ...
SOLDADOR de 500A IGBT MIG
1 tecnología de IGBT. Salida estable. Contra capacidad fuerte de la fluctuación de la energía
Se adopta el reactor eléctrico 2. Energía concentrada. El arco-empezar fácil. Ablity continuo perfecto de la soldadura.
El ahorro de la energía 3 es el hasta 30%.
La corriente que suelda con autógena 4 es ajustable continuamente. Poco chispea. Piscina profunda de ...
XPT IGBTs
# Features: Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
# Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 µsec.
- very low gate charge
- low EMI
# - square RBSOA @ 3 x Ic Thin wafer technology combined with the SPT design results in a competitive low VCE(sat)
# SONIC™ ...
PT IGBTs
# Features: VCES: 300V to 1200V
# IC(90): 2A to 200A
# High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
# and C3 A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
# C3: 50kHz -150kHz. A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
# C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching Available ...
Very High Voltage NPT IGBTs
# Features: VCES: 2500V and 4000V
# NPT Technology, Square RBSOA,short circuit ruggedness
# Positive Temp Coefficient for ease in paralleling.
# Low Saturation / high peak pulse current / High Speed Switching
# U/L approved High Voltage i4-Pack with isolated tab having 2500 V rms galvanic isolation.
Conductores
- Conductor dual de IGBT
Nuevo: SKYPER 42
* MTBF (SN29500) >2 x106h
* El tiempo medio de buen funcionamiento es la tecnología más arriba que estándar del conductor de 3 x * EMC con la conexión única de la capa intermediaria y la supresión del pulso corto * los tableros de adaptador listos para el uso modificados para requisitos particulares
* ...
Mantenimiento fácil
* Montaje rápido y desmontaje. Todas las piezas son accesibles del panel de delante y todas las piezas desprendibles pesan menos de 30 kilogramos * incluso para las instalaciones grandes con grados de energía múltiples, la modularidad sin igual de la gama de SEMIKUBETM reduce los recambios
Funcionamiento de SEMIKUBE
* 4 tamaños
* Los mismos ...
Flexible
* La CÉLULA 2 y/o la CÉLULA 3 permite diversas topologías de la energía y del circuito * 1 o inversor, rectificador e interruptor trifásicos
Cubierta robusta
* Montado en una unidad robusta IP20
* EMI blindada
* Instalado fácilmente en un gabinete estándar
Sistema de detección actual disponible
* Sensores actuales de ...
El FAN7382, un conductor monolítico IC de la puerta del mitad-puente, puede conducir los MOSFETs e IGBTs que funcionan hasta +600V. El proceso de alto voltaje de Fairchild y el ruido del común-modo que cancela técnica proporciona la operación estable del conductor del alto-lado bajo altas circunstancias del ruido de dv/dt. Un circuito llano avanzado del cambio permite la operación del conductor de ...
Fairchild IGBTs feature reduced VCE(sat) and minimal Turn Off Switching Loss (Eoff)and are optimized for the design of high efficiency systems in solar inverter, UPS, welder, induction heating and power penerator applications. This portfolio includes 600V and 1200V IGBTs and are available in different key technologies: PT(Punch-Through), NPT(Non Punch-Through), FS(Field Stop; Planar, Trench, Shorted ...
Los ISL9V3040D3S, los ISL9V3040S3S, los ISL9V3040P3, y los ISL9V3040S3 son la ignición IGBTs de la generación siguiente que ofrecen capacidad excepcional de SCIS en el ahorro de espacio D-Pak (TO-252), así como el estándar industrial D ² - Pak (TO-263), y TO-262 y a 220 paquetes plásticos. Este dispositivo se piensa para el uso en circuitos automotores de la ignición, específicamente como conductor ...
Módulos del transistor
Productos disponibles:
· Transistores de energía de Darlington
De 450V a 1 200V
De 10A a 600A
· MOSFETs altos de la salida
De 70V a 200V
De 83A a 690A
· Alta salida IGBTs
De 250V a 6500V
De 10A a 3600A
Configuraciones: Simple, doble, interruptor, 6pack, IPM
OM9402SP
conductor de la puerta del solo canal Hola-Rel IGBT de 25V 8A en un paquete de SP-10A
IR offers an extensive IGBT portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies to achieve the highest performance for specific application requirements.
Additionally IR has a broad range of IGBT dies designed specifically for medium to high power modules with optimized layout, integrated Rg and large gate pad.
For modules which demand the highest reliability, Solderable ...
Conductores del MOSFET - conductores de IGBT
EN el semiconductor suministra conductores del MOSFET y los conductores de IGBT para el lado bajo, el alto lado, y los circuitos de impulsión del mitad-puente.
IGBTs - MOSFETs del canal N - MOSFETs del P-Channel
EN el semiconductor suministra IGBTs; JFETs; Canal N, P-Channel, y MOSFETs complementarios; y MOSFETs protegidos.
Módulo de IGBT
· Construcción hermética de la base para la operación hasta 800A
· Operación de la altitud a los pies 50K
· Operación de conmutación de alta frecuencia en los extremos del Temp
· Disposición interna con inductancias perdidas reducidas al mínimo
- Conductores sin cepillo del motor del MOSFET: Hasta 250V y 150A
- Conductores sin cepillo del motor de IGBT: Hasta 1200V y 120A
- Aislamiento óptico óptico de la entrada del aislamiento y de control del autobús de C.C.
- Detección actual y detección de la temperatura
- Sobre parada actual y sobre parada de la temperatura
- Detección de la desaturación con parada de enganche opcional
- ...
SPT chip (Soft-punch-through technology)
MOS input control
Ultra thin IGBT chip, great current, low oss, low tail current
Low VCE(SAT) with positive temperature coefficent
High switch frequency, low switch loss
High SC resistive ability
Optimum EMC property
Long creepage distance
DBC insulated voltage ...
El VO3150A consiste en un LED óptico juntado a
circuito integrado con una etapa de la salida de energía. Esto
el acoplador óptico se adapta ideal para la energía de conducción IGBTs y los MOSFETs usados en usos del inversor del control de motor.
la alta gama del voltaje de funcionamiento de la etapa de la salida proporciona los voltajes de la impulsión requeridos por los dispositivos ...
Los módulos de IGBT de Vishay están disponibles con varias diversas configuraciones, incluyendo el mitad-puente, el lleno-puente, el interruptor, y el inversor 6PAK. Una gama ancha de la corriente de colector, hasta 200 A, está disponible.
Los productos altos de la confiabilidad de las ofertas de Avago ideales para conducir la energía IGBTs y los MOSFETs usados en motor controlan usos del inversor. La alta alta gama del voltaje de funcionamiento de output/Vcc de la etapa de la salida proporciona los voltajes de la impulsión requeridos por los dispositivos controlados puerta.
IX2127 (hoja de datos - Rev02) El IX2127 es un conductor de alto voltaje, de alta velocidad del MOSFET de la energía y de IGBT. De alto voltaje nivel-cambie de puesto el trazado de circuito permite a este dispositivo funcionar hasta 600V. Las técnicas de diseño propietarias del común-modo de Clare proporcionan la operación estable en altos ambientes de ruido de dV/dt. Un comparador a bordo se puede ...
Alto voltaje, módulos 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV y 6.5kV del poder más elevado IGBT, hasta 2400A. Alta durabilidad termal de la fatiga, de alta velocidad y de pequeñas pérdidas. Los paquetes incluyen tipos del estándar europeo.
Este alto voltaje e IGBT muy rápido demuestra una compensación excelente entre las pérdidas bajas de la conducción y el funcionamiento rápido de la conmutación. Se diseña en la tecnología de PowerMESH combinada con el diodo ultrarrápido de alto voltaje.
