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Memorias SRAM

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Integrated Silicon Solution
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) Integrated Silicon Solution
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5V SRAM asincrónico de alta velocidad
5V energías bajas SRAM asincrónico
Energías bajas de alta velocidad SRAM asincrónico
Energías bajas SRAM asincrónico de PowerSaver
Pseudo SRAM
SRAM asincrónico automotor

Memoria SRAM asíncrono Integrated Silicon Solution
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El ISSI IS61C64AL es un muy de alta velocidad, energías bajas,
palabra 8192 por RAM estático de 8 bits. Se fabrica usando ISSI
tecnología de alto rendimiento del Cmos. Esto alto - confiable
proceso juntado con técnicas de diseño innovadoras de circuito,
rinde tiempos de acceso más rápidamente que 10 ns con energías bajas
consumición.
Cuando el CE es ALTO (no reelegido como ...

Memoria SRAM sincrónica de alta velocidad Integrated Silicon Solution
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El ISSI IS61LP6432A/36A es un síncrono de alta velocidad
el RAM estático diseñó proporcionar un burstable, de alto rendimiento
memoria para el establecimiento de una red y la comunicación de alta velocidad
usos. El IS61LP6432A se organiza como 64K
las palabras por 32 pedacitos y el IS61LP6436A se organizan como 64K
palabras por 36 pedacitos. Fabricado con el Cmos avanzado de ISSI
la ...

Cypress Semiconductor
Memoria de acceso aleatorio estática no volátil (nv-SRAM) Cypress Semiconductor

Non-volatility. Persistent memory. No Battery. High speed Write. High speed Read. Full random access to any byte or any word. No block or page erase times. Standard SRAM pinouts and timing. This is nvSRAM.

Quality. Consistency. Process longevity. No unique ferrite or magnetic materials on one-of-a-kind, low volume manufacturing lines. Millions of units shipping in standard CMOS processes. ...

Memoria SRAM multipuerto Cypress Semiconductor

Cypress is a market leader in multi-port memory solutions, offering highest performance interconnects solutions in the industry. Cypress offers a wide Product portfolio of more than 300 types of Asynchronous and Synchronous Dual Ports, Quad Ports and FullFlex Dual Ports.

Integrated Device Technology
Memoria SRAM asíncrono Integrated Device Technology
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La tecnología integrada del dispositivo es el surtidor Dual-port principal del espolón, trayendo con eficacia experiencia del diseño de sistemas junto con el circuito de alto rendimiento y la maestría Dual-port de la tecnología de SRAM para definir productos Dual-port síncronos y asincrónicos del espolón.

Un Dual-port asincrónico es una memoria con las entradas y las salidas non-clocked para ...

Memoria SRAM multipuerto Integrated Device Technology
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IDT es el industry’ surtidor principal de s de las memorias del multi-puerto, ofreciendo los productos más comprensivos y alto-funcionamientos disponibles. La lista de IDT consiste en más de 150 tipos de dual-puertos asincrónicos y síncronos, de cuatro-puertos y de dual-puertos banco-cambiables. Tuvo como objetivo el mercado de las comunicaciones, las memorias del multi-puerto de IDT se ...

Atmel
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) Atmel
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Atmel tiene un historial largo con las memorias (SRAM, DPRAM, primero en entrar, primero en salir y EEPROM) y su ofrecimiento actual de la memoria del espacio apoya los esfuerzos de la industria de espacio para la racionalización de las variaciones de la parte con respecto a tamaño y formato, paquete, consumo de energía y velocidad.

Hynix
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) Hynix
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El HY64SD16162B es un 16Mbit 1T/1C SRAM ofrecido por la operación de alta velocidad y la consumición estupenda de las energías bajas. El HY64SD16162B adopta una célula de memoria del transistor y es organizado como 1.048.576 palabras por 16bits.
El HY64SD16162B funciona en la gama extendida de temperatura y apoya una gama ancha del voltaje de funcionamiento. El HY64SD16162B también apoya el modo ...

MEMEX Automation Inc.
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) MEMEX Automation Inc.
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Tarjetas de Memex Fanuc SRAM

Memex ofrece a Fanuc PCMCIA compatible SRAM las tarjetas de reserva para Fanuc 16/18 versión B y los controles de la serie de C, de las robustezas de Fanuc, de Fanuc 15B y de Fanuc i.

Las soluciones de alto rendimiento del almacenaje de la memoria permanente de la oferta de las tarjetas de SRAM para los usos del almacenaje de reserva de la transferencia ...

Microchip Technology
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) Microchip Technology
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¿Necesitar más RAM? los dispositivos SPI-compatibles del cuento por entregas SRAM del microchip están disponibles en 64 y 256 opciones de Kbit. Estos dispositivos proporcionan funcionamiento de alta velocidad en las energías bajas que les hacen el ideal para los usos encajados que necesitan más RAM. Los dispositivos utilizan pocos pernos con pocas conexiones de interfaz y paquetes más pequeños que ...

ON Semiconductor
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) ON Semiconductor
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Memoria paralela de SRAM - memoria serial de SRAM
EN el semiconductor suministra memoria serial y paralela de SRAM.

Renesas Electronics
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) Renesas Electronics
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Para encontrar necesidades a los clientes rápidamente cambiante' del consumo de una energía más baja y de ciclos de lectura/grabación más rápidos, gama completa de las ofertas de Renesas de las energías bajas SRAM y productos rápidos de SRAM.
Las energías bajas SRAM de Renesas entregan varias ventajas sobre SRAM convencional: confiabilidad espera ultrabaja con el ECC de la en-viruta y sin plomo ...

STMicroelectronics
Memoria de acceso aleatorio estática no volátil (nv-SRAM) STMicroelectronics
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El M48Z02/12 ZEROPOWER®RAM es 2 un RAM estático permanente de K x 8 que es perno y función compatibles con el DS1220.

Un perno del special 24, 600 paquete de la INMERSIÓN CAPHAT de la milipulgada contiene el silicio M48Z02/12 con una célula duradera del botón del litio para formar un alto integrado batería-movió hacia atrás la solución de la memoria.

La célula del botón M48Z02/12 ...

Synopsys
Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) Synopsys
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La lista encajada Synopsys de SRAM proporciona una habitación llena de los recopiladores de la memoria para una gama amplia de tecnologías de proceso. La línea de productos de memoria de SiWare entrega el área más pequeña y el rendimiento más alto para 65 nanómetro a 28 nodos de proceso del nanómetro y es ideal para una amplia gama de usos, tales como radio, gráficos y ASICS de alto rendimiento. La ...

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