Los dispositivos que integran dos transistores están disponibles en los paquetes ultra-compactos, convenientes para los varios usos tales como circuitos diferenciados de la amplificación del preamplificador, oscillattors de alta frecuencia, conductor ICs y así sucesivamente.
Características
 Transistor bipolar complejo de Ultra-compace para la gerencia de la energía
Los dispositivos que integran dos transistores están disponibles en los paquetes ultra-compactos, convenientes para los varios usos tales como circuitos diferenciados de la amplificación del preamplificador, oscillattors de alta frecuencia, conductor ICs y así sucesivamente.
Características
 transistor bipolar complejo Ultra-compacto para el convertidor de DC-DC
El volumen de la producción de Rohm de transistor es clase superior del mundo y los productos del transistor habían estado consiguiendo refinaron rápidamente conformándose con las necesidades del mercado.
El "ahorro de la energía", el "ahorro de espacio" y la "alta confiabilidad" son los corazones del concepto del desarrollo para ampliar la formación atractiva del producto. El dispositivo Small-signal, ...
Transistor del MOSFET y de NPN del canal N en un paquete
En-Resistencia baja
Voltaje muy bajo del umbral de la puerta, 1.0V máximo
Capacitancia baja de la entrada
Velocidad de conmutación rápida
Salida baja de la entrada-salida
Ultra-Pequeño paquete superficial del montaje
El plomo, el halógeno y el antimonio liberan, RoHS obediente (la nota 2)
Puerta protegida ...
• Planares epitaxiales mueren la construcción
• Tipo complementario (2DC4617Q, R, S) • disponible de NPN; Sin plomo/RoHS obediente
• Dispositivo del "verde"
El STC03DE220HP se fabrica en una estructura híbrida, usando las tecnologías de alto voltaje dedicadas del MOSFET de la tensión bipolar y baja, estado dirigidas a proporcionar el mejor funcionamiento en topología de ESBT.
El STC03DE220HP se diseña para el uso en el tiempo de retorno aux. SMPS para cualquier uso trifásico.
El dispositivo se fabrica en tecnología planar con la disposición de la "isla baja". El transistor resultante demuestra alto funcionamiento excepcional del aumento juntado con voltaje de saturación muy bajo.
Todos los transistores del silicio de las tecnologías de Avago están del NPN bipolar, tipo epitaxial planar. Éstos son transistores del alto rendimiento optimizados para las operaciones de la tensión de poca intensidad y baja; haciéndolos ideales para los usos en el mercado sin hilos de las comunicaciones.
Los conductores trabados MIC5800/5801 son circuitos integrados de alto voltaje, de gran intensidad abarcados de cuatro u ocho cierres de datos del Cmos, un conductor bipolar del transistor de Darlington para cada trazado de circuito del cierre, y del control del Cmos para el CLARO, el ESTROBOSCÓPICO, y la SALIDA comunes PERMITEN funciones.
La combinación de bipolar/MOS proporciona - punto ...
Transistores bipolares
BJTs - BRTs - IGBTs
EN el semiconductor ofrece una lista amplia de los transistores de ensambladura bipolar, incluyendo los transistores audios, los transistores del darlington, los transistores del resistor diagonal (BRTs), los transistores bipolares aislados de la puerta (IGBTs), los transistores bajos de Vce (sentado), los transistores del RF, y los transistores ...
El TRANSISTOR de ENERGÍA MEDIA del SILICIO de NPN calificó por MIL-PRF-19500/207
Dispositivos
2N1479 2N1480 2N1481 2N1482
