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Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía y capacidad de ...
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control de potencia, Littelfuse ...
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de energía IGBT de Hitachi Energy se encuentran disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos de diodos duales e IGBT de interruptor chopper de patas de fase simple/dual. Los módulos HiPak IGBT ...
Corriente: -0,5 A
Tensión: -50 V
... 50A02CH es un transistor bipolar, bajo VCE(sat), PNP simple para aplicaciones de amplificación de propósito general de baja frecuencia. Aplicaciones Amplificador de baja frecuencia Conmutación de alta velocidad Accionamiento de motores ...
Onsemi
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... ST ofrece una amplia gama de conmutadores inteligentes de 3 y 5 patillas (OMNIFET) para automoción basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control y protección ...
STMicroelectronics
Tensión: 7,5 V
... de salida de radio portátil de banda UHF Etapa de salida para radio portátil de 700-800 MHz Driver genérico de 6 W para transistores de etapa final ISM y broadcast ...
Corriente: 95 A
Tensión: 40 V
... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia (HSMT8) Revestimiento sin Pb; cumple con la normativa ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Tensión: -400 V - 1.000 V
... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y PowerPAK® térmicamente avanzadas. ...
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la ...
Tensión: 110, 265 V
... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo monolítico. Menor ...
Power Integrations
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida Paquete de montaje ...
Diodes Incorporated
... Los HEMT de GaN, los FET de GaA, los MMIC y las soluciones HEMT de bajo ruido ofrecen un alto rendimiento y una fiabilidad sin concesiones para aplicaciones de radar, estaciones base, SATCOM, punto a punto y espaciales. ...
... Tomas para IC de potencia Tipo estándar Simple en línea ●Cómo hacer un pedido ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posiciones de 2 a 16 Rigidez dieléctrica - Resistencia de aislamiento - - Temperatura de funcionamiento EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Número ...
JC CHERRY INC.
Tensión: 45 V
... Los tipos BCX51, BCX52 y BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR son transistores de silicio PNP fabricados mediante el proceso planar epitaxial, moldeados con epoxi en un encapsulado de montaje superficial, diseñados para aplicaciones de amplificador ...
Central Semiconductor
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tensión ...
Diotec
Corriente: 2 A
Tensión: 36 V
... Con este MOSFET se puede controlar una tensión de hasta 36 voltios. Con la modulación de la anchura de los impulsos, se puede reducir la tensión media cuadrática (por ejemplo, para atenuar una luz LED). COMPATIBLE CON Arduino, Raspberry Pi, etc. TENSIÓN ...
Corriente: 1 mA - 20 mA
Tensión: 2,7 V
Broadcom
Corriente: 150 A
Tensión: 600 V
... 600V. Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT ( Transistor ...
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido a la excelente combinación ...
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa base de cobre ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensión: 8 V - 35 V
... El módulo Bluetooth es un módulo de transición de comunicación de datos entre el móvil y el grupo electrógeno. Se conecta con el controlador del grupo electrógeno a través de RS485. A través de la APP del móvil se puede obtener la información del grupo ...
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