Parte: IRF5851
Descripción: 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete del micr3ofono 6
IRF5851TR A IRF5851 con el empaquetado de la cinta y del carrete
IRF5851TRPBF similar a IRF5851TR con el empaquetado sin plomo.
Los dispositivos que integran dos transistores están disponibles en los paquetes ultra-compactos, convenientes para los varios usos tales como circuitos diferenciados de la amplificación del preamplificador, oscillattors de alta frecuencia, conductor ICs y así sucesivamente.
Características
 Transistor bipolar complejo de Ultra-compace para la gerencia de la energía
