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Transistores de efecto de campo

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Toshiba America Electronics Components
Transistor de efecto de campo (FET) Toshiba America Electronics Components
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FET del GaAs de la ENERGÍA de la MICROONDA
TIM3742-12UL

CARACTERÍSTICAS
-  PODER MÁS ELEVADO
P1dB=41.5dBm en 3.7GHz a 4.2GHz - ALTO AUMENTO
G1dB=11.5dB en 4.4GHz a 5.0GHz - VENDA AMPLIA INTERNO EMPAREJÓ EL FET - PAQUETE SELLADO HERMÉTICAMENTE

Transistor de GaAs de microondas de efecto de campo (FET) Toshiba America Electronics Components
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Toshiba ofrece una familia de producto ultra linear de los FETs del GaAs, señalada la familia de la UL, para la gama de frecuencia de la C-Venda con un aumento más alto, una distorsión de intermodulación más baja y una eficacia más alta. La familia de producto de la UL incluye productos a partir de 4 vatios de (w) hasta 25W y fue convertida para la radio digital de la microonda de punto a punto para ...

Anadigics
Transistor de efecto de campo metal-semiconductor (MESFET) Anadigics

The AGB is one of a series of GaAs MESFET amplifiers designed for use in applications requiring high linearity, low noise and low distortion. With a high IP3, low noise figure and wide band operation, the AGB3301 is ideal for 50Ω wireless infrastructure applications such as MMDS, Cellular Base Stations, PCS and WLL. Offered in a low cost SOT-89 surface mount package, the AGB3301 requires ...

Avago Technologies
Transistor de efecto de campo (FET) Avago Technologies
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El FET del GaAs de Avago utiliza una puerta reverse-biased de la Schottky-barrera fabricada con la tecnología de PHEMT. Estos dispositivos tienen una combinación de altas linearidades y PAE, alto aumento y las características de poco ruido.

Clare
Transistor de efecto de campo (FET) Clare
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Los transistores de efecto de campo del modo de agotamiento del canal N de Clare (FET) utilizan un proceso vertical propietario de la tercera generación DMOS. El proceso de tercera generación realiza funcionamiento de calidad mundial, de alto voltaje del MOSFET en un proceso económico de la puerta de silicio.
El proceso vertical de DMOS rinde un dispositivo robusto para los usos del poder más ...

Triquint Semiconductor
Transistor de efecto de campo metal-semiconductor (MESFET) Triquint Semiconductor
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El FH1 es un alto FET del rango dinámico embalado en un barato
superficie-montar el paquete. La combinación de de poco ruido
la figura e IP3 de alto rendimiento en el mismo punto diagonal lo hace
ideal para los usos del receptor y del transmisor. El dispositivo
combina funcionamiento confiable con calidad magnífica a
mantener los valores del MTTF que exceden 100 años en el montaje
temperaturas ...

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