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Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V
... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque ...
Corriente: 25 mA
Tensión: 13 V
... CARACTERÍSTICAS - Fuente de alimentación DC-DC aislada incorporada; Fuente de alimentación única topología de accionamiento de la fuente de alimentación - Alta tensión de aislamiento de 3750VAC - Frecuencia de la señal de entrada de hasta ...
Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control ...
Corriente: 28 A
Tensión: 650 V
... El IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de conmutación dura en un encapsulado TO-220 de tamaño reducido se dirige a aplicaciones que conmutan entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de ...
Infineon Technologies AG
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT ...
Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...
... Los fotoacopladores para automoción (salida de transistor, salida de CI) están disponibles en paquetes pequeños con alta resistencia dieléctrica (3,75 KV) y funcionamiento a altas temperaturas, hasta 135 °C. Esto facilita ...
Corriente: 50 A
Tensión: 650 V
... La serie RGWxx65C es un IGBT de 650 V con un diodo de barrera schottky de SiC incorporado, que reduce la pérdida de conmutación en el encendido. Se trata de un producto que cumple la norma AEC-Q101. Puede utilizarse con ...
ROHM Semiconductor
... Los módulos inteligentes de potencia SLLIMM pertenecen a la familia de los IPMs que permiten la combinación de chips de silicio optimizados e incorporan 3 bloques inversores principales: etapa de potencia (IGBTs robustos de cortocircuito ...
STMicroelectronics
SEMIKRON
Corriente: 10 A - 1.600 A
Tensión: 600 V - 1.700 V
... Greegoo ofrece módulos IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) en diferentes topologías, intensidades y tensiones. Desde 15A hasta 1600A en clases de tensión de 600V a 1700V, los módulos IGBT ...
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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