Fotodiodo de avalancha (APD)
ø 0.5 - 10 mm Hamamatsu Photonics

Los fotodiodos de la avalancha del silicio (Si APD) tienen un mecanismo interno del aumento, una respuesta rápida del tiempo, una corriente oscura baja y una alta sensibilidad en el ULTRAVIOLETA a la región infrarroja cercana. Hamamatsu ofrece Si APDs con las áreas activas que se extienden a partir de 0.2 milímetros a 5.0 milímetros de diámetro. El APDs es sellado herméticamente en paquetes del metal.

Mientras que los fotodiodos de la avalancha se limitan a los aumentos debajo de 200, tienen eficacia de quántum excelente en el infrarrojo cercano (tal como la serie S8890 y S9251). el Bajo-diagonal, los fotodiodos infrarrojo-sensibles de la avalancha tiene un voltaje de avería típico de 150 V. APDs con sensibilidad visible y los órdenes de APD están también disponibles. Para la facilidad de empleo, recomendamos un módulo de APD que incorpore un APD, una fuente de alimentación, y un amplificador en un paquete.

Los usos para APDs incluyen la comunicación de fibra óptica, la transmisión ligera espacial, la detección del bajo-luz-nivel, el lector de clave de barras de alta velocidad, el radar de laser, y los dispositivos biomédicos. APDs es también ampliamente utilizado en experimentos de la física de gran energía. En usos ligeros débiles donde están aplicados los altos campos magnéticos, un APD es a menudo la única opción.

Hamamatsu Photonics ha desarrollado especialmente APDs para LHC de la CERN - experimento del CMS para soportar la radiación muy alta producida por las colisiones durante 10 años de operación del LHC. Hamamatsu Photonics recibió la concesión de la CERN para su colaboración cercana y esfuerzos especiales durante muchos años de alcanzar la meta de entregar la superficie y la radiación en grandes cantidades, grandes APDs duro al calorímetro magnético del CMS-Electro.