Infineon Technologies - Sensors

Circuito de control puerta MOSFET
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  • circuito de control puerta MOSFET Infineon Technologies - Sensors
Ofrecemos a nueva familia del conductor ICs del IGBT de EiceDRIVER/de la puerta del MOSFET para los usos de 600V hasta voltajes de bloqueo 1200V. De acuerdo con tecnologías innovadoras incluyendo la tecnología thin-film del Silicon-On-Insulator (600V) y la tecnología del transformador de Coreless (1200V), una confiabilidad más alta, pérdidas más bajas y un mejor funcionamiento puede ser alcanzado.

La tecnología del transformador de Coreless (CLT) permite la integración de un transformador del pulso en un IC, combinando las ventajas de la tecnología de HVIC con la capacidad de un acoplador magnético. Esto da lugar a un IC extremadamente rugoso con alta capacidad del aislamiento. CLT permite velocidades de conmutación más rápidas sin la degradación de funcionamiento comparada a los acopladores ópticos, por lo tanto proporcionando confiabilidad constante sobre el curso de la vida proyectado.

El silicio Thin-Film en tecnología (SOI) del aislador es una técnica avanzada para las fabricaciones de MOS/CMOS. Diferencia del proceso a granel convencional poniendo la capa activa del transistor en la tapa de un aislador. Esto lleva a la robustez excepcional contra latch-up cuando está expuesta a las condiciones extremas de la temperatura y del voltaje.
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