Transistor doble
International Rectifier
Descripción: 20V se doblan MOSFET de la n y de la energía del canal HEXFET del p en un paquete del micr3ofono 6
IRF5851TR A IRF5851 con el empaquetado de la cinta y del carrete
IRF5851TRPBF similar a IRF5851TR con el empaquetado sin plomo.
