HgCdTe es un compuesto ternario del semiconductor que exhibe un atajo de la longitud de onda proporcional a la composición de la aleación. El detector real se compone de una capa delgada (10 a el µm 20) de HgCdTe con los cojines metalizados del contacto que definen el área activa. Los fotones con la energía mayor que la energía del venda-boquete del semiconductor excitan electrones en la venda de conducción, de tal modo aumentando la conductividad del material. La longitud de onda de la respuesta máxima depende de la energía del venda-boquete del material y puede ser variada fácilmente cambiando la composición de la aleación. Para detectar el cambio en conductividad, una corriente diagonal o el voltaje se requiere. Típicamente, los detectores se fabrican en una configuración cuadrada o rectangular para mantener una distribución actual diagonal uniforme a través de la región activa.
