JFET
ON Semiconductor
N− Canal − Agotamiento
N− Transistores de efecto de campo de ensambladura del canal, modo de agotamiento
(El tipo A) diseñó para los usos del audio y de la conmutación.
Características
- N− Canal para un aumento más alto
- Dren y fuente permutables
- Alta impedancia de la entrada de la CA
- Alta resistencia de entrada de C.C.
- Transferencia baja y capacitancia entrada
- Cross− bajo; Distorsión de la modulación y de intermodulación
- Paquete encapsulado plástico de Unibloc
- Pb− Los paquetes libres son Available*
