Horno de sublimación baSiC-T

de crecimiento de cristalde campanade gas

El sistema de transporte de vapor físico (pvt) PVA TePla baSiC-T ha sido especialmente diseñado para el crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) por sublimación de una fuente de polvo a altas temperaturas. El diseño del sistema baSiC-T se basa en un concepto modular y permite el uso de sustratos (semillas) de hasta 6´´ de diámetro. Nueva Generación de Hornos de Cristalización SiC PVT Diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia alto nivel de automatización para la producción masiva Disponible la solución de software de gestión Fab tamaño pequeño, colocación compacta Disponible para 4´´ y 6´´ Calentamiento inductivo con diseños de bobinas probados en la práctica Bajo consumo de energía (aprox. 10KW @ 2.200 °C de control estable) Concepto de carga/descarga móvil para la zona caliente Sistema de control superior con manejo intuitivo con un alto grado de automatización visualización de procesos con funciones de tendencias mejoradas solución de configuración de recetas fuera de línea con muchas opciones de recetas por conjuntos de parámetros registro de datos de proceso a largo plazo, recuperación de datos a largo plazo el sistema de control y la visualización funcionan de forma independiente (concepto de seguridad) bucles de control del sistema configurables por conjuntos de parámetros Excelente concepto de seguridad Conformidad CE los diferentes niveles de los componentes de seguridad del sistema garantizan un funcionamiento seguro mediciones de calidad y documentación de calidad ampliada Estrecha colaboración con clientes, institutos y proveedores de componentes