Memoria de acceso aleatorio estática (SRAM)
Renesas Electronics
Para encontrar necesidades a los clientes rápidamente cambiante' del consumo de una energía más baja y de ciclos de lectura/grabación más rápidos, gama completa de las ofertas de Renesas de las energías bajas SRAM y productos rápidos de SRAM.
Las energías bajas SRAM de Renesas entregan varias ventajas sobre SRAM convencional: confiabilidad espera ultrabaja con el ECC de la en-viruta y sin plomo actuales, más altos conformarse con RoHS.
La formación de productos rápidos de SRAM incluye síncrono, tarde-escribe, RDA, QDR, RDA II, RDA II+, QDR II y QDR II+. QDR II+ está listo para el máximo 533 megaciclos de frecuencia para los usos más exigentes.
Las energías bajas SRAM de Renesas entregan varias ventajas sobre SRAM convencional: confiabilidad espera ultrabaja con el ECC de la en-viruta y sin plomo actuales, más altos conformarse con RoHS.
La formación de productos rápidos de SRAM incluye síncrono, tarde-escribe, RDA, QDR, RDA II, RDA II+, QDR II y QDR II+. QDR II+ está listo para el máximo 533 megaciclos de frecuencia para los usos más exigentes.
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