- Electricidad - Electrónica
- Componente Electrónico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW25N135F1Ade potencia
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de potencia
- Corriente
25 A
- Tensión
1.350 V
Descripción
Los IGBTs de parada de campo de Rongtech ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y alta resistencia a la avalancha para aplicaciones de conmutación suave como calefacción inductiva, horno microondas, etc.
CARACTERÍSTICAS
-Alta tensión de ruptura hasta 1350V para mejorar la fiabilidad
-Tecnología Trench-Stop que ofrece :
>Conmutación de alta velocidad
>Alta robustez, estable a la temperatura
>Bajo VcEsat
>Fácil capacidad de conmutación en paralelo gracias al coeficiente de temperatura positivo en
VcEsat
-Formas de onda de desconexión de corriente suave
-Capacidad de avalancha mejorada
VCE:1350A
IC:25A
VCE(SAT) IC=25A: 2.0V
Aplicación:
* Cocina inductiva
* Hornos de microondas invertidos
* Convertidores resonantes
* Aplicaciones de conmutación suave
* Aplicaciones de conmutación suave
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Catálogos
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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