Circuito de control puerta IGBT VO series
MOSFET

circuito de control puerta IGBT
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Características

Especificaciones
IGBT, MOSFET

Descripción

El controlador MOSFET fotovoltaico LH1262CB, LH1262CAC consta de dos LED acoplados ópticamente a dos conjuntos de fotodiodos. El conjunto de fotodiodos proporciona una fuente flotante con el voltaje y la corriente adecuados para accionar transistores MOSFET de alta potencia. El acoplamiento óptico proporciona una alta tensión de aislamiento de E/S. Para apagar el MOSFET, se requiere una resistencia externa (puerta-fuente) para la descarga de la puerta. CARACTERÍSTICAS - Alta tensión de circuito abierto - Alta corriente de cortocircuito - Tensión de prueba de aislamiento 5300 VRMS - Entrada compatible con lógica - Alta fiabilidad APLICACIONES - Controlador de lado alto - Relés de estado sólido - Fuente de alimentación flotante - Control de potencia - Adquisición de datos - ATE - Conmutación aislada

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