MOSFET de alta velocidad

para aplicaciones automovilísticasSiCresistencia de alta tensión

Visión general
Los MOSFETs de carburo de silicio (SiC) mSiC® permiten frecuencias de conmutación más altas y una mayor eficiencia del dispositivo, reduciendo el tamaño de los componentes, soportando mayores tensiones de bloqueo y ofreciendo una fuerte capacidad de avalancha. Diseñados para sistemas de potencia de media a alta tensión, los MOSFETs mSiC® proporcionan un diodo de cuerpo estable, larga vida útil del óxido y rendimiento destacado en avalancha y cortocircuito para mejorar la fiabilidad y el tiempo de actividad del sistema.

MOSFETs discretos SiC de alto rendimiento
Nuestra cartera mSiC® abarca tensiones desde 700 V hasta 3,3 kV y está optimizada para etapas de potencia compactas y eficientes en aplicaciones exigentes como aeronáutica, movilidad eléctrica, accionamientos industriales y convertidores de energía renovable.

Características

• Funcionamiento a alta temperatura de unión (Tj = 175°C) con mínima variación de RDS(on) en todo el rango
• Estabilidad del óxido de puerta líder en la industria (< 100 mV de variación Vth) y larga vida útil del óxido de puerta
• Resistencia a avalanchas en Unclamped Inductive Switching (UIS) (> 100k pulsos)
• Mayor tiempo de resistencia a cortocircuito y comportamiento estable del diodo de cuerpo

Beneficios

• Permite mayor frecuencia de conmutación y mejor eficiencia de conversión
• Mayor densidad de potencia que permite sistemas más pequeños y ligeros
• Mayor robustez y fiabilidad en condiciones severas
• Reduce la necesidad de dispositivos SiC redundantes en muchos diseños
• Menores requisitos de refrigeración y reducción del coste total del sistema

Nuestra ventaja

• Múltiples fuentes de epi y dos fábricas SiC para asegurar el suministro a largo plazo
• Clasificación UIS de avalancha inigualable y rendimiento robusto en cortocircuito
• Mayor tiempo de resistencia del óxido de puerta publicado
• Práctica de obsolescencia guiada por el cliente para soportar requisitos de ciclo de vida

Placas de demostración y evaluación

• Placa de evaluación de controlador de puerta discreta de canal único (plataforma de ejemplo)
• Placa de evaluación medio puente (plataforma de ejemplo)
• Herramienta de evaluación rápida Power Motherboard — para medida de pérdidas de conducción/conmutación, pruebas de doble pulso y análisis de convertidores

Aplicaciones

• Movilidad eléctrica y trenes de potencia automotrices (variantes AEC‑Q101 disponibles)
• Conversión de energía en renovables
• Aeronáutica y sistemas de alta fiabilidad
• Accionamientos de motores industriales, tracción y fuentes de alimentación

Especificaciones técnicas

• Rango de tensión: 700 V a 3 300 V
• Temperatura máxima de unión (Tj): soporte hasta 175°C
• Estabilidad del óxido de puerta: < 100 mV de variación Vth durante la vida útil
• Vida útil del óxido: > 100 años (característica publicada)
• Resistencia a avalancha (UIS): > 100k pulsos
• Diodo de cuerpo estable y alta capacidad de resistencia a cortocircuito
• Ofertas para automoción disponibles (variantes calificadas AEC‑Q101)