Detector de infrarrojos
con semiconductor

detector de infrarrojos
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Características

Tecnología
de infrarrojos, con semiconductor

Descripción

Aplicación Los detectores infrarrojos HPGe de alta sensibilidad están destinados a la fluorescencia NIR o a la espectroscopia Raman y a aplicaciones similares en la región espectral de 850 nm a 1,7 µm Características - Máxima sensibilidad - Bajo nivel de ruido - Rango de frecuencia de hasta 300 Hz - Etapa de entrada electrónica refrigerada por LN2 (FET y resistencia de retroalimentación) - Ventana RG 850 con revestimiento antirreflectante - Preamplificador con monitor de temperatura - Varios tipos de recipiente Dewar disponibles DESCRIPCIÓN Los detectores infrarrojos HPGe están destinados a la fluorescencia NIR o a la espectroscopia Raman y a aplicaciones similares en la región espectral de 850 nm a 1,7 µm. CONJUNTO COMPLETO - Detector IR de HPGe en criostato y LN2 Dewar - Preamplificador de bajo ruido con alimentación de alta tensión para el detector

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