para lectura/escritura
tensión de lectura en IS: 44 mVss ± 25 % (lectura), diferencia de tensión de lectura entre las pistas: 90 % (lectura)
diafonía dinámica: @ 120 FRPI: < 2 % (lectura)
corriente de referencia: @ 95 % UL máx.: 320 mApp ± 25 % (escritura)
inductancia @ 1 kHz / 50 mV: 2,3 mH ± 25 % (escritura); 125 mH ± 25 % (lectura)
Resistencia CC: 5.3 Ω ± 25 % (escritura); 180 Ω ± 25 % (lectura)
longitud de la separación: 0,03 mm
Condiciones de medición
medio de grabación: RM 7811-6 A
velocidad relativa: 50 cm/s
densidad de grabación: 120 FRPI
frecuencia de escritura equivalente: 1,18 kHz
carga del cabezal de lectura: 10 kΩ//330 pF
ancho de banda de lectura: 30 kHz
corriente de escritura: 500 mASS
tiempo de subida de la corriente: 75 µ
Detalles técnicos
Aplicación - entradas (lectura/escritura)
Número de pistas - 3
Tratamiento de superficie - sí
Estado del producto - activo
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