Preamplificador de tensión 2003BT

electrónico

- Diseño de bajo ruido: menos de 2,0 keV (Si) a 0 pF - Capacidad de alta tasa de energía: hasta 2 x 106 MeV por segundo - Entrada FET, protegida por diodos - Salidas independientes de energía y de temporización rápida - Tiempo de subida rápido inferior a 3 ns a 0 pF - Tamaño reducido - Capaz de funcionar en una cámara de vacío El preamplificador de entrada FET sensible a la carga del modelo 2003BT está diseñado para obtener un rendimiento óptimo con los detectores de silicio, como los detectores de silicio planar implantado pasivo (PIPS) de Mirion y los detectores de barrera superficial de silicio (SSB) heredados. Funcionando como un convertidor de carga a voltaje, la unidad acepta los portadores de carga producidos en el detector durante cada evento nuclear absorbido. La salida proporciona una tensión directamente proporcional a la carga recogida a razón de 0,45 V por pC. Esto se traduce en una ganancia de 20 mV por MeV para detectores de silicio a temperatura ambiente Para el uso típico con detectores de silicio de polarización positiva, la salida de energía extremadamente lineal proporciona un pulso de polaridad positiva ideal para la espectroscopia de energía. La salida de tiempo coincidente proporciona un pulso diferenciado rápido de polaridad negativa ideal para la resolución de eventos nucleares en el tiempo La capacidad de alta tasa de carga del diseño se pone de manifiesto por una capacidad de tasa de energía superior a 2 x 106 MeV por segundo cuando se utiliza con detectores de silicio. Para aprovechar al máximo una capacidad de tasa de recuento tan alta, debe utilizarse un amplificador principal con una capacidad de tasa de recuento correspondientemente alta, como el amplificador modelo 2025 o el modelo 2026 El funcionamiento básico del preamplificador se indica en el esquema funcional.