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MOSFET de silicio CDMSJ22010-650
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Características
- Material
- de silicio
Descripción
El CDMSJ22010-650 de CENTRAL SEMICONDUCTOR es un MOSFET de potencia de canal N de 650 voltios y alta corriente, diseñado para aplicaciones de alto voltaje y conmutación rápida, como la corrección del factor de potencia (PFC) y los cargadores de energía. Este MOSFET combina capacidad de alto voltaje con bajo rDS(ON), bajo voltaje umbral y baja carga de puerta.
MARCA: CDMSJ
10-650
APLICACIONES:
- Corrección del Factor de Potencia
- Alimentación TV
- SAI
- Cargador DP
- Adaptadores
CARACTERÍSTICAS:
- Capacidad de alto voltaje (VDS=650V)
- Baja carga de puerta (Qgs=4nC)
- Bajo rDS(ON) (0,39Ω)
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