Comprobador de semiconductores de banda ancha M2 Turret Edition

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Resumen
Plataforma de ensayo de nueva generación para productos de potencia de banda ancha prohibida. Diseñada para producción de alto rendimiento con handlers rotativos y transportadores, mide parámetros estáticos, rendimiento de conmutación dinámico, calidad de die-attach térmico, métricas de óxido de puerta y realiza pruebas de esfuerzo como avalanche y cortocircuito mediante generadores de prueba modulares de alto rendimiento.

Beneficios clave

• Máxima productividad: UPH hasta más de 15.000 dispositivos por hora (ensayo turret en index-parallel).
• Soporte amplio de dispositivos: SiC, GaN y Si; incluye MOSFET, IGBT, JFET, dispositivos bipolares y diodos.
• Listo para producción: Interfaces con handlers rotativos y de cinta, arquitectura modular y ampliable según requisitos de prueba.

Presentación del producto / capacidades
M2 Turret Edition integra generadores de prueba ultra-rápidos y software optimizado para distribuir el plan de pruebas entre varios generadores y maximizar la velocidad. El sistema está diseñado para operación 24/7 en producción de alto volumen y ofrece opciones modulares para añadir módulos AC dynamic switch (Quasar, Pulsar), módulos paramétricos DC y módulos QA/térmicos.

CARACTERÍSTICAS / CONFIGURACIONES (resumen)
Variantes: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
Número de sitios de prueba: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
Rendimiento de conmutación AC dinámico: M2 DS5 Quasar hasta 2 kA cortocircuito | M2 DS5 Quasar hasta 2 kA cortocircuito | M2 DS6 Pulsar hasta 7,5 kA cortocircuito | M2 DS6 Pulsar hasta 7,5 kA cortocircuito
Test paramétrico DC: 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 600 A (integrado) — ampliable a 1.000 A | 3 kV 600 A (integrado) — ampliable a 1.000 A

Áreas de aplicación
Ensayos eléctricos de alto rendimiento en etapas de producción: KGD, discretos encapsulados y módulos; apto para wafer probe, pruebas en tira de discretos y pruebas finales en fabricación de dispositivos de potencia.

Especificaciones técnicas

• Plataforma: M2 modular y ampliable, optimizada para pruebas eléctricas ultrarrápidas.
• Rendimiento: UPH hasta más de 15.000 dispositivos por hora (enfoque index-parallel).
• Tecnologías soportadas: SiC, GaN, Si.
• Tipos de prueba: paramétrica estática, pruebas paramétricas DC, conmutación AC dinámica, die-attach térmico (deltaVSD), resistencia y capacitancia de gate, pruebas de avalanche y cortocircuito, pruebas UIS/body-diode.
• Capacidad paramétrica DC: integrado hasta 3 kV; 200 A estándar en algunas variantes; variantes Pulsar: 3 kV 600 A integrado, ampliable a 1.000 A.
• Conmutación AC dinámica: Quasar (DS5) hasta 2 kA; Pulsar (DS6) hasta 7,5 kA en cortocircuito.
• Die-attach térmico: M1 FB deltaVSD 1 kW, hasta 300 V / 100 A (disponible en variantes Pro / Pulsar Pro).
• UIS avalanche: 2,3 kV, 200 A carga inductiva no limitada (variantes Pro / Pulsar Pro).
• Sitios concurrentes: de 4 a 6 según variante; opciones RG, Quasar/Pulsar AC, FB, UIS y estaciones QA configurables.
• Integración: diseñado para operación 24/7, robusto y preciso; interfaces con handlers rotativos y transportadores.