Comprobador de impedancia M2 Turret Edition

de capacidadde fugade funcionamiento

Resumen
Plataforma de ensayo de nueva generación para productos de potencia de banda ancha prohibida. Diseñada para producción de alto rendimiento con handlers rotativos y transportadores, mide parámetros estáticos, rendimiento de conmutación dinámico, calidad de die-attach térmico, métricas de óxido de puerta y realiza pruebas de esfuerzo como avalanche y cortocircuito mediante generadores de prueba modulares de alto rendimiento.

Beneficios clave

• Máxima productividad: UPH hasta más de 15.000 dispositivos por hora (ensayo turret en index-parallel).
• Soporte amplio de dispositivos: SiC, GaN y Si; incluye MOSFET, IGBT, JFET, dispositivos bipolares y diodos.
• Listo para producción: Interfaces con handlers rotativos y de cinta, arquitectura modular y ampliable según requisitos de prueba.

Presentación del producto / capacidades
M2 Turret Edition integra generadores de prueba ultra-rápidos y software optimizado para distribuir el plan de pruebas entre varios generadores y maximizar la velocidad. El sistema está diseñado para operación 24/7 en producción de alto volumen y ofrece opciones modulares para añadir módulos AC dynamic switch (Quasar, Pulsar), módulos paramétricos DC y módulos QA/térmicos.

CARACTERÍSTICAS / CONFIGURACIONES (resumen)
Variantes: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
Número de sitios de prueba: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
Rendimiento de conmutación AC dinámico: M2 DS5 Quasar hasta 2 kA cortocircuito | M2 DS5 Quasar hasta 2 kA cortocircuito | M2 DS6 Pulsar hasta 7,5 kA cortocircuito | M2 DS6 Pulsar hasta 7,5 kA cortocircuito
Test paramétrico DC: 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 600 A (integrado) — ampliable a 1.000 A | 3 kV 600 A (integrado) — ampliable a 1.000 A

Áreas de aplicación
Ensayos eléctricos de alto rendimiento en etapas de producción: KGD, discretos encapsulados y módulos; apto para wafer probe, pruebas en tira de discretos y pruebas finales en fabricación de dispositivos de potencia.

Especificaciones técnicas

• Plataforma: M2 modular y ampliable, optimizada para pruebas eléctricas ultrarrápidas.
• Rendimiento: UPH hasta más de 15.000 dispositivos por hora (enfoque index-parallel).
• Tecnologías soportadas: SiC, GaN, Si.
• Tipos de prueba: paramétrica estática, pruebas paramétricas DC, conmutación AC dinámica, die-attach térmico (deltaVSD), resistencia y capacitancia de gate, pruebas de avalanche y cortocircuito, pruebas UIS/body-diode.
• Capacidad paramétrica DC: integrado hasta 3 kV; 200 A estándar en algunas variantes; variantes Pulsar: 3 kV 600 A integrado, ampliable a 1.000 A.
• Conmutación AC dinámica: Quasar (DS5) hasta 2 kA; Pulsar (DS6) hasta 7,5 kA en cortocircuito.
• Die-attach térmico: M1 FB deltaVSD 1 kW, hasta 300 V / 100 A (disponible en variantes Pro / Pulsar Pro).
• UIS avalanche: 2,3 kV, 200 A carga inductiva no limitada (variantes Pro / Pulsar Pro).
• Sitios concurrentes: de 4 a 6 según variante; opciones RG, Quasar/Pulsar AC, FB, UIS y estaciones QA configurables.
• Integración: diseñado para operación 24/7, robusto y preciso; interfaces con handlers rotativos y transportadores.