Resumen El FTI-1000 Lab es una plataforma de caracterización exclusivamente DC para dispositivos de potencia media en silicio (Si) y wide-bandgap (GaN). Ofrece estímulo DC programable hasta 1,2 kV y 100 A, permitiendo la extracción precisa de parámetros eléctricos estáticos y el trazado IV de alta resolución. La configuración Lab utiliza instrumentación DC dedicada — módulos fuente de alta tensión y alta corriente, medición en nanoamperios y polarización flexible — para soportar una amplia gama de barridos IV y pruebas paramétricas sin la complejidad AC o de conmutación dinámica. FTI Studio proporciona una interfaz intuitiva para una configuración rápida, captura de formas de onda, trazado schmoo y creación de programas de prueba.
Aplicaciones - Laboratorios de I+D
- Calificación de dispositivos
- Flujos de validación y caracterización en ingeniería
Capacidades clave y optimizaciones - Estímulo DC programable hasta 1,2 kV y 100 A
- Optimizado para mediciones de fuga a alta tensión, breakdown, tensión umbral y resistencia de conducción (Rds(on))
- Suministro DC estable y repetible con control de medición preciso
- Arquitectura modular y escalable con reducido espacio en laboratorio
- Soporta una amplia gama de encapsulados discretos y el desarrollo de dispositivos wide-bandgap
Especificaciones tabulares Número de sitios de prueba: 1
Pruebas paramétricas DC: Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss, etc.
Calidad de unión térmica: dVsd/Vgs
Dimensiones D×W×H: 541 mm × 345 mm × 206 mm (Fuente de alimentación: 345 mm × 176 mm × 103 mm)
Canales digitales: opción de 8 canales digitales independientes (IC Channel Board)
Tensión fuente DC: 1,2 kV
Rango de pilotaje de corriente (HV): 25 mA (según módulo)
Corriente máxima: 100 A
Resistencia de puerta: 0, 10, 25, 50 Ω, además de resistencias enchufables por el usuario
Software FTI Studio ofrece una interfaz intuitiva para configuración rápida, captura de formas de onda, trazado schmoo y creación de programas de prueba, permitiendo una transición acelerada desde el bring-up del dispositivo a la caracterización completa.
Especificaciones técnicas - Número de sitios de prueba: 1
- Pruebas paramétricas DC soportadas: Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, BVdss y mediciones IV/paramétricas similares
- Métrica de calidad de unión térmica: dVsd/Vgs
- Dimensiones: 541 mm × 345 mm × 206 mm
- Dimensiones de la fuente de alimentación: 345 mm × 176 mm × 103 mm
- Tensión DC máxima: 1,2 kV
- Rango de pilotaje de corriente de alta tensión (módulo específico): 25 mA
- Capacidad máxima de corriente: 100 A
- Canales digitales: opcional 8 canales digitales independientes (IC Channel Board)
- Opciones de resistencia de puerta: 0, 10, 25, 50 Ω más resistencias enchufables por el usuario
- Arquitectura: configuración modular y escalable optimizada para laboratorio
- Dispositivos objetivo: dispositivos Si de potencia media y dispositivos wide-bandgap (GaN)
- Funciones de software: captura de formas de onda, trazado schmoo, creación de programas de prueba, configuración rápida