Comprobador de fuga M2 Wafer Edition
de tensiónde alta tensiónde impulsión de corriente

Comprobador de fuga - M2 Wafer Edition - Cosmic Equipment S.p.A. - de tensión / de alta tensión / de impulsión de corriente
Comprobador de fuga - M2 Wafer Edition - Cosmic Equipment S.p.A. - de tensión / de alta tensión / de impulsión de corriente
Comprobador de fuga - M2 Wafer Edition - Cosmic Equipment S.p.A. - de tensión / de alta tensión / de impulsión de corriente - imagen - 2
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Características

Tipo de prueba
de tensión, de alta tensión, de corriente de fuga, de fuga, de impulsión de corriente
Objeto de la prueba
para componentes electrónicos
Aplicaciones
para sistema de alimentación
Configuración
benchtop
Otras características
robusto

Descripción

Descripción breve
Solución de ensayo de alta tensión en wafer para dispositivos SiC y Si. M2 Wafer Edition integra un generador CC de 10 kV para el cribado en etapa temprana de die de potencia de alta tensión en wafer antes de la singulación, reduciendo el empaquetado de piezas defectuosas y acelerando el análisis de rendimiento.

Visión general
La tecnología SiC de banda ancha habilita una nueva generación de dispositivos de potencia de alta tensión para transporte, transmisión de energía y energías renovables. M2 Wafer Edition realiza ensayos paramétricos y de estrés hasta 10 kV en wafer para verificar ruptura, fugas y robustez antes del envasado. La plataforma M2 está diseñada para funcionamiento continuo 24/7 en producción: robusta, precisa y modular para soportar manufactura de alto volumen y minimizar el tiempo de inactividad. Su arquitectura ampliable permite añadir capacidades de prueba conforme evolucionan los requisitos del producto.

Razones
  • Ensayar productos de potencia a las mayores tensiones. Generador CC 10 kV para evaluar arquitecturas wide bandgap en sus límites operativos.
  • Detectar defectos precozmente. Cobertura de pruebas DC, UIS y Rg en wafer (variante Pro) para identificar die defectuosos antes de la singulación y el empaquetado.
  • Seguridad y protección. Sondas de wafer y generadores de prueba protegidos contra fallos por UIS mediante la tecnología SocketSafe™.


Presentación del producto — especificaciones (comparación de variantes)
CARACTERÍSTICAS / CONFIGURACIONES: Wafer UHV | Wafer UHV Pro

Número de sitios de prueba
Wafer UHV: 1 x sitio DC
Wafer UHV Pro: 1 x sitio combinado DC + Rg + UIS

Prueba paramétrica DC
Ambas variantes: 10 kV, 200 A (integrado)

Óxido de puerta y calidad
Wafer UHV: —
Wafer UHV Pro: Medición de resistencia de puerta y capacitancia

UIS avalanche / calidad del diodo de cuerpo
Wafer UHV: —
Wafer UHV Pro: 5 kV, 200 A carga inductiva unclamped (UIS)

Notas
La plataforma es modular y ampliable; la variante UHV Pro integra pruebas combinadas (DC, RG, UIS) en un solo sitio para caracterizar la robustez de la puerta y del diodo de cuerpo en etapas tempranas del flujo de fabricación.

Ferias

Este distribuidor estará presente en las siguientes ferias

Semicon
Semicon

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania)

  • Más información
    * Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.