Descripción breveSolución de ensayo de alta tensión en wafer para dispositivos SiC y Si. M2 Wafer Edition integra un generador CC de 10 kV para el cribado en etapa temprana de die de potencia de alta tensión en wafer antes de la singulación, reduciendo el empaquetado de piezas defectuosas y acelerando el análisis de rendimiento.
Visión generalLa tecnología SiC de banda ancha habilita una nueva generación de dispositivos de potencia de alta tensión para transporte, transmisión de energía y energías renovables. M2 Wafer Edition realiza ensayos paramétricos y de estrés hasta 10 kV en wafer para verificar ruptura, fugas y robustez antes del envasado. La plataforma M2 está diseñada para funcionamiento continuo 24/7 en producción: robusta, precisa y modular para soportar manufactura de alto volumen y minimizar el tiempo de inactividad. Su arquitectura ampliable permite añadir capacidades de prueba conforme evolucionan los requisitos del producto.
Razones- Ensayar productos de potencia a las mayores tensiones. Generador CC 10 kV para evaluar arquitecturas wide bandgap en sus límites operativos.
- Detectar defectos precozmente. Cobertura de pruebas DC, UIS y Rg en wafer (variante Pro) para identificar die defectuosos antes de la singulación y el empaquetado.
- Seguridad y protección. Sondas de wafer y generadores de prueba protegidos contra fallos por UIS mediante la tecnología SocketSafe™.
Presentación del producto — especificaciones (comparación de variantes)CARACTERÍSTICAS / CONFIGURACIONES: Wafer UHV | Wafer UHV Pro
Número de sitios de pruebaWafer UHV: 1 x sitio DC
Wafer UHV Pro: 1 x sitio combinado DC + Rg + UIS
Prueba paramétrica DCAmbas variantes: 10 kV, 200 A (integrado)
Óxido de puerta y calidadWafer UHV: —
Wafer UHV Pro: Medición de resistencia de puerta y capacitancia
UIS avalanche / calidad del diodo de cuerpoWafer UHV: —
Wafer UHV Pro: 5 kV, 200 A carga inductiva unclamped (UIS)
NotasLa plataforma es modular y ampliable; la variante UHV Pro integra pruebas combinadas (DC, RG, UIS) en un solo sitio para caracterizar la robustez de la puerta y del diodo de cuerpo en etapas tempranas del flujo de fabricación.