Memoria microchip NAND 69FxxG16

asíncrona

DDC 64, 128, y 256 Gb de alta densidad NAND flash cuenta con un bus de x16 de ancho. Este flash NAND utiliza la tecnología NAND de célula de nivel único (SLC). Almacenando 1 bit de datos por celda de memoria, SLC NAND ofrece capacidades de lectura y escritura rápidas y tiempos de arranque, excelente resistencia y fiabilidad. La tecnología de embalaje RAD-PAK patentada por DDC incorpora blindaje contra la radiación en el paquete de microcircuitos. Elimina la necesidad de un apantallamiento de caja, a la vez que proporciona el apantallamiento de radiación necesario para toda una vida en órbita o misión espacial. RAD-PAK proporciona una tolerancia de dosis total superior a 100 krads(Si), dependiendo de la misión espacial. Este producto está disponible con cribado hasta DDC Microelectronics autodefinido Clase S. Alta densidad 64, 128 ó 256 Gb Soporta diseños de mayor velocidad con menos capacitancia y menos E/S para accionar Interfaz NAND Flash Tecnología de célula de nivel único (SLC) Cumple con ONFI 2.2 Voltaje de operación VCC 3.0 a 3.6V VCCQ 1.7 a 1.95V o 3.0 a 3.6V Tamaño de página 8640 bytes (8192 + 448 bytes de repuesto) Soporta algoritmos de corrección BCH externos (16 bits de corrección por cada 540 bytes) Características Almacenamiento de datos de alta fiabilidad para aplicaciones espaciales exigentes Paquete cerámico hermético con apantallamiento TID integrado Clase E, I, H o K Velocidad Hasta modo de temporización asíncrono 5 (50MT/seg) Rango de temperatura -55°C hasta 125°C Resistencia 60.000 ciclos típicos