Diodo láser de onda continua L13395-04
de infrarrojoscon semiconductor

diodo láser de onda continua
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Características

Modo de funcionamiento
de onda continua
Espectro
de infrarrojos
Otras características
con semiconductor
Longitud de onda

940 nm

Potencia

0,2 W

Descripción

Este producto es un láser semiconductor de emisión superficial con una estructura de cristal fotónico que presenta un patrón de haz puntual estrecho (ángulo de dispersión del haz estrecho, forma circular) y un ancho de línea espectral estrecho. El cristal fotónico es una nanoestructura óptica que tiene una distribución periódica del índice de refracción con dimensiones casi iguales a las longitudes de onda de la luz. En este producto, la luz es amplificada y difractada por el cristal fotónico montado en las proximidades de una capa de amplificación de la luz denominada capa activa, y la luz amplificada se emite como un haz láser en dirección perpendicular a la superficie. Incluso con una gran superficie, este láser permite una acción de resonancia estable y, por tanto, emite un haz de alta calidad con un ángulo de radiación estrecho. Especificaciones Número de tipo : L13395-04 Modo de oscilación : CW Temperatura de funcionamiento : 0 ℃ a +30 ℃ Temperatura de almacenamiento : -30 ℃ a +85 ℃ Longitud de onda de emisión máxima típica : 940 nm Potencia de salida radiante máx. : 200 mW Potencia de salida radiante típica : 150 mW Corriente de funcionamiento máx. : 850 mA Semibanda de radiación espectral máx. : 1 nm Tensión de funcionamiento máx. : 2 V Área de emisión : 200 × 200 μm Ángulo de dispersión del haz (horizontal) máx. : 1 ° Ángulo de dispersión del haz (vertical) máx. : 1 ° Corriente de umbral de emisión: 250 mA Envase: φ9.0 CD

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