Fotodiodo de silicio S14643-02
LIDAR

fotodiodo de silicio
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Características

Especificaciones
de silicio, LIDAR

Descripción

APD de Si compacto y de alta velocidad para LiDAR (banda de 700 nm) con funcionamiento de bajo sesgo Este APD de Si es adecuado para detectar la luz en la banda de 700 nm, que se utiliza cada vez más en los rangefinders ópticos. Con la misma forma que el producto anterior (serie S10341), este APD de Si se caracteriza por una menor variación de la tensión de ruptura, una corriente oscura reducida y temperaturas de almacenamiento y funcionamiento ampliadas. Características - Paquete pequeño: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Longitud de onda de máxima sensibilidad: 760 nm (M=100) - Funcionamiento con baja polarización: Tensión de ruptura=120 V máx. - Respuesta de alta velocidad: Frecuencia de corte=2 GHz típ. (λ=760 nm, M=100) - Reducción de la variación de la tensión de ruptura: 100 ± 20 V Especificaciones Tipo : Para LiDAE (banda de 700 nm, operación de bajo sesgo) Área fotosensible : φ0,2 mm Envase : Plástico Categoría de embalaje : Tipo de montaje en superficie Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica): 760 nm Rango de respuesta espectral : 400 a 1000 nm Fotosensibilidad (típica): 0,48 A/W Corriente oscura (máx.) : 0,2 nA Frecuencia de corte (típica) : 2000 MHz Capacidad de los terminales (típica) : 0,7 pF Tensión de ruptura (típ.) : 100 V Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (típ.) : 0,42 V/℃ Ganancia (típica) : 100 Condición de medición : Típico. Ta=25 ℃, a menos que se indique lo contrario, Fotosensibilidad: λ=760 nm, M=1

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Catálogos

Ferias

Este distribuidor estará presente en las siguientes ferias

ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 jun. 2024 Frankfurt am Main (Alemania) Hall 11.1 - Stand F62

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