Fotodiodo de silicio S14644-02
LIDAR

fotodiodo de silicio
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Características

Especificaciones
de silicio, LIDAR

Descripción

APD de Si compacto y de alta velocidad para LiDAR (banda de 800 nm) con funcionamiento de bajo sesgo Este APD de Si es adecuado para detectar luz en la banda de 800 nm, que se utiliza cada vez más en rangefinders ópticos. Con la misma forma que el producto anterior (serie S10341), este APD de Si presenta una menor variación de la tensión de ruptura, una corriente oscura reducida y temperaturas de almacenamiento y funcionamiento ampliadas. Características - Encapsulado pequeño: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Longitud de onda de máxima sensibilidad: 800 nm (M=100) - Funcionamiento con baja polarización: Tensión de ruptura=180 V máx. - Respuesta de alta velocidad: Frecuencia de corte=1,2 GHz típ. (λ=800 nm, M=100) - Reducción de la variación de la tensión de ruptura 160 ± 20 V Especificaciones - Tipo : Para LiDAR - (banda de 800 nm, funcionamiento con polarización baja) - Área fotosensible : φ0.2 mm - Embalaje : Plástico - Categoría de embalaje : Tipo de montaje en superficie - Longitud de onda de máxima sensibilidad (típ.) : 800 nm - Rango de respuesta espectral : 400 a 1000 nm - Fotosensibilidad (típica): 0,52 A/W - Corriente oscura (máx.) : 0,3 nA - Frecuencia de corte (típ.) : 1200 MHz - Capacitancia terminal (típ.) : 0,6 pF - Tensión de ruptura (típ.) : 160 V - Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (típ.) : 0,63 V/℃ - Ganancia (típ.) : 100

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ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 jun. 2024 Frankfurt am Main (Alemania) Hall 11.1 - Stand F62

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