Fotodiodo de silicio S14645-05
LIDAR

fotodiodo de silicio
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Características

Especificaciones
de silicio, LIDAR

Descripción

APD de Si compacto y de alta velocidad para LiDAR (banda de 900 nm) con funcionamiento de bajo sesgo Este APD de Si es adecuado para detectar la luz en la banda de 900 nm, que se utiliza cada vez más en los rangefinders ópticos. Con la misma forma que el producto anterior (serie S12926), este APD de Si se caracteriza por una menor variación de la tensión de ruptura, una corriente oscura reducida y temperaturas de almacenamiento y funcionamiento ampliadas. Características - Paquete pequeño: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Longitud de onda de máxima sensibilidad: 840 nm (M=100) - Funcionamiento con baja polarización: Tensión de ruptura=195 V máx. - Respuesta de alta velocidad: Frecuencia de corte=600 MHz típ. (λ=900 nm, M=100) - Reducción de la variación de la tensión de ruptura 175 ± 20 V Especificaciones Tipo : Para LiDAR (banda de 900 nm, operación de bajo sesgo) Área fotosensible : φ0.5 mm Embalaje : Plástico Categoría de embalaje : Tipo de montaje en superficie Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica): 840 nm Rango de respuesta espectral : 400 a 1100 nm Fotosensibilidad (típica): 0,5 A/W Corriente oscura (máx.) : 0,8 nA Frecuencia de corte (típica) : 600 MHz Capacidad de los terminales (típica) : 1 pF Tensión de ruptura (típ.) : 175 V Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (típ.) : 1,1 V/℃ Ganancia (typ.) : 100 Condición de medición : Típico. Ta=25 ℃, a menos que se indique lo contrario, Fotosensibilidad: λ=900 nm, M=1

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ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 jun. 2024 Frankfurt am Main (Alemania) Hall 11.1 - Stand F62

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    * Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.