Microscopio electrónico de barrido SU9600

para mediciones en películas delgadaspara la investigaciónpara investigación en materiales

Descripción general
El SU9600 (T)SEM es un microscopio electrónico de barrido modular e híbrido que combina SEM de ultraalta resolución y capacidades STEM analíticas con una etapa de muestra compatible con TEM. Permite análisis correlativos de superficie y electrones transmitidos en una plataforma de alta estabilidad, compatible con UHR-SEM, STEM, 4D-STEM*, EELS* y nano-EDS* para obtención rápida de imágenes de alta resolución y caracterización multimodal de materiales.

Puntos clave

• Capacidades integradas de UHR-SEM y STEM analítico en una sola plataforma estable
• Imágenes de ultraalta resolución desde 10 V hasta 30 kV para análisis de superficie y estructura
• Cañón de emisión por campo frío, lente objetivo de inmersión total y etapa TEM (0,34 nm garantizado @ 30 kV; ~0,2 nm alcanzable)

Características y beneficios

• Detección completa de electrones reflejados y transmitidos con filtrado energético y angular
• Correlación del contraste SE/BSE de superficie con imagen BF/ADF/STEM y datos espectrales (EELS/EDS)
• Análisis elemental subnanométrico con detector EDS sin ventana y gran ángulo sólido
• Acceso a mediciones avanzadas de propiedades materiales mediante EELS y 4D-STEM

Detalles técnicos

• Emisión por campo frío de nueva generación con NEG para alta brillo y menor aberración cromática (opción EELS)
• Lente de inmersión total combinada con etapa tipo TEM para resolución y estabilidad mecánica óptimas
• Imágenes de alta resolución en 0,5–30 kV (0,34 nm garantizado @ 30 kV; ~0,2 nm alcanzable)
• Etapa TEM y porta-muestras de doble inclinación para orientación rápida en secciones transversales y alineación de ejes de zona (opcional)
• Compatibilidad con holders criogénicos y MEMS (opcional)

Capacidades analíticas

• EDS subnanométrico con detector sin ventana de gran ángulo sólido para cartografía elemental rápida a escala nanométrica
• 4D-STEM con detección directa rápida de electrones que permite DPC, ptychography, mapeo de tensión y fase; aperturas virtuales generan imágenes BF/DF/difracción seleccionada
• EELS a bajo kV: imágenes elementales en vivo, espectroscopía de pérdidas de núcleo y plasmones; el FEG frío ofrece resolución energética de ~0,35 eV

Aplicaciones

• Nanomateriales: mapeo de distribución elemental, composición de nanohilos, imagen de red
• Películas delgadas: morfología de superficie y análisis de estructura de granos
• Análisis elemental: composición y cartografía a escala nanométrica (p. ej., sistemas Ag/Cu)
• Semi­conductores: imagen de red a escala atómica y análisis de difracción

Especificaciones
Resolución imagen SE: 0,4 nm @ 30 kV; 1,0 nm @ 1 kV; 0,6 nm @ landing 1 kV (con portamuestras de desaceleración y detector superior opcionales)
Resolución imagen STEM: 0,34 nm @ 30 kV (imagen de red, opción)
Tensión de aceleración: 0,5 a 30 kV
Tensión de aterrizaje: 0,01 a 20 kV
Desplazamiento de imagen eléctrico: hasta ±5 mm (altura de muestra = 0,0 mm)
Recorrido del escenario: X: ±4,0 mm, Y: ±2,0 mm, Z: ±0,3 mm, T: ±40°
Tamaño de muestra - escenario plano: 5,0 mm × 9,5 mm × 3,5 mm (H) máx
Tamaño de muestra - escenario para sección transversal: 2,0 mm × 6,5 mm × 5,0 mm (H) máx

Notas
* Opcional donde se indique. Características como 4D-STEM, EELS y ciertos porta-muestras pueden ser opcionales según la configuración.