Módulo de memoria DRAM H5WRAGESM8W-N8L

rápido

DRAM de última generación para nuevos horizontes de memoria de gama alta Primera HBM3 del mundo desarrollada en octubre de 2021 En solo 15 meses desde el lanzamiento de la producción en masa de HBM2E, SK hynix ha consolidado su liderazgo en DRAM de alta velocidad con el desarrollo de HBM3, lo último en memoria de gran ancho de banda para tecnologías de vanguardia en centros de datos, superordenadores e IA. Disipación térmica avanzada La HBM3 funciona a temperaturas más bajas que la HBM2E al mismo nivel de voltaje operativo, lo que mejora la estabilidad del entorno del sistema servidor. A temperaturas de funcionamiento equivalentes, SK hynix HBM3 puede soportar pilas de 12 chips o 1,5 veces más capacidad que HBM2E, y velocidades de E/S de 6 Gbps para un ancho de banda 1,8 veces mayor. Así, con una mayor capacidad de refrigeración para las mismas condiciones de funcionamiento, SK hynix cumple su iniciativa Memory ForEST*. Aumento del rendimiento SK hynix HBM3, con una capacidad 1,5 veces superior a HBM2E a partir de 12 troqueles DRAM apilados a la misma altura total del encapsulado, es apta para alimentar aplicaciones intensivas en capacidad como IA y HPC. Un solo cubo puede producir hasta 819 GB/s de ancho de banda, mientras que un SiP (System-in-Package) con seis chips HBM en el mismo silicio puede alcanzar hasta 4,8 TB/s en apoyo de las demandas de exaescala. ECC en el chip La HBM3 de SK hynix también incorpora un robusto ECC (código de corrección de errores) integrado y diseñado a medida, que utiliza bits de paridad preasignados para comprobar y corregir errores en los datos recibidos. El circuito integrado permite a la DRAM autocorregir los errores dentro de las celdas, lo que mejora significativamente la fiabilidad del dispositivo.