Transistor IGBT IKP28N65ES5
de potenciade conmutación

transistor IGBT
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de potencia, de conmutación
Corriente

28 A

Tensión

650 V

Descripción

El IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de conmutación dura en un encapsulado TO-220 de tamaño reducido se dirige a aplicaciones que conmutan entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de comercialización más rápidos, reducción de la complejidad del diseño del circuito y optimización del coste de la lista de materiales de la placa de circuito impreso. Resumen de características VCEsat muy bajo de 1,5 V a 25°C 4 veces la corriente de impulso Ic (100°C Tc) Características de caída de corriente suave sin corriente de cola Sobreimpulso de tensión bajo y simétrico Tensión de puerta bajo control (sin oscilación). Sin riesgo de encendido no deseado del dispositivo y sin necesidad de sujeción de la puerta Temperatura máxima de unión Tvj = 175°C Cualificado según las normas JEDEC Ventajas Máxima densidad de potencia en formato TO-220 No se necesitan circuitos de sujeción VCEpeak No se necesitan componentes de sujeción de puerta Buen comportamiento EMI Excelente para conexión en paralelo Aplicaciones Carga de vehículos eléctricos Fotovoltaica Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)

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