Máquina de grabado en obleas por plasma SPTS Omega®

Los módulos de proceso SPTS Omega® Rapier™ y DSi-v ofrecen un grabado de silicio de alta velocidad para una gran variedad de aplicaciones. El grabado iónico reactivo profundo (DRIE) del silicio utiliza el proceso Bosch, que cambia la química del plasma repetidamente entre los pasos de grabado (SF6) y pasivación (C4F8), para crear un grabado anisotrópico de zanjas o agujeros en el silicio. Con una base instalada de >1500 módulos de proceso DRIE, KLA tiene décadas de experiencia en grabado profundo de silicio para MEMS y otras aplicaciones. El SPTS Rapier™ ofrece un diseño de fuente de plasma dual con zonas de plasma desacopladas primaria y secundaria controladas independientemente, con entradas de gas duales independientes. Esto da como resultado una distribución altamente concentrada y uniforme de radicales, lo que se traduce en altas velocidades de grabado, excelente uniformidad entre obleas y control de CD, perfil e inclinación de características. Este rendimiento puede alcanzarse en obleas de hasta 300 mm de diámetro. La flexibilidad multimodo inherente también permite el grabado de óxido complementario dentro del mismo hardware. El módulo SPTS DSi-v ofrece un excelente rendimiento de grabado profundo de silicio para aplicaciones de alta carga. El DSi-v es especialmente adecuado para el grabado de grandes cavidades para aplicaciones como micrófonos de silicio o sensores de presión. Tanto el Rapier™ como el DSi-v son compatibles con las plataformas de manipulación de obleas Omega® LPX, c2L o fxP, o integrados con diferentes módulos de grabado y deposición de SPTS en una plataforma de clúster Versalis™. Grabado iónico reactivo profundo (DRIE) de Si para micromecanizado de MEMS, TSV, zanjas de alimentación, vías de Si traseras Grabado general de Si para revelado de vías y adelgazamiento de obleas Grabado superficial de óxido MEMS Embalaje avanzado Fabricación de dispositivos de RF Fabricación de dispositivos de potencia Fotónica