Fotodiodo InGaAs IAG Series
avalanchaPIN

Fotodiodo InGaAs - IAG Series  - LASER COMPONENTS - avalancha / PIN
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Características

Especificaciones
InGaAs, avalancha
Montaje
PIN

Descripción

Los fotodiodos de avalancha de InGaAs se utilizan para detectar luz en el rango espectral de 1100 nm a 1700 nm. Presentan un ruido notablemente inferior al de los diodos de germanio. APD de InGaAs 1100 - 1700 nm Estos fotodiodos de avalancha de InGaAs detectan en el rango espectral de 1100 nm a 1700 nm. Los APD de la serie IAG presentan valores de umbral de daño especialmente altos. Ambos vienen embalados en una carcasa TO-46. La serie APD de InGaAs Los APD de InGaAs son adecuados para el rango espectral de 1100 nm a 1700 nm. En comparación con los APD de germanio, presentan una relación de ruido significativamente mejorada, un mayor ancho de banda en relación con el área activa y ventajas derivadas de la mayor sensibilidad de hasta 1700 nm. Todos los APD con carcasa TO-46 están disponibles opcionalmente acoplados a fibra. Serie IAG La serie IAG presenta un elevado umbral de daño de >200 kW/cm². La respuesta del detector alcanza su punto máximo a 1550 nm y el área activa está disponible en diámetros de 80 µm, 200 µm y 350 µm.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.