Fototransistor SMD OIT25C
de silicio

fototransistor SMD
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Características

Otras características
SMD, de silicio
Corriente

1 mA

Tensión

80 mV

Descripción

OIT29 Matriz de fototransistores de 3 canales de 0,60 mm el tono óptico en el paquete de plástico SMD.. Descripción general OIT29 consiste en un silicio de tres elementos la matriz monolítica del fototransistor. Los fototransistores tienen un colector común, cada emisor está disponible como una almohadilla. El paso de los conjuntos de silicio es de 0,6 mm, mientras que el paso de los componentes eléctricos es de 1,27 mm. El área activa de cada elemento es de 0,2 x 0,45 mm. El encapsulante es una resina de silicona transparente microelectrónica de alta calidad: su valor de transmisión es superior al 95% entre 300nm y 400nm mientras que está muy cerca del 100% en el rango de 400-900nm. Los fototransistores tienen un revestimiento antirreflectante que garantiza un buen ancho de banda espectral (500-950 nm) con un pico de respuesta a 755 nm. Las principales ventajas de este dispositivo son la alta uniformidad de los sensores de silicio en todos los parámetros electro-ópticos, debido a la construcción monolítica y la alta respuesta óptica, debido al revestimiento antirreflectante depositado en las zonas del fototransistor Aplicaciones Codificadores ópticos Codificadores incrementales Receptores ópticos Controles/accionamientos Características La alta uniformidad de las células de silicio Resina de alta transparencia Alta ganancia Dimensiones muy pequeñas Puntos de referencia en la capa de oro para una alineación muy precisa Agujeros de referencia en el marco para la alineación mecánica

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Catálogos

OIT25C
OIT25C
3 Páginas
OIT25C-NR
OIT25C-NR
3 Páginas
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.