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Fototransistor bipolar Radial T1 seriesde silicio
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Características
- Tipo
- bipolar
- Otras características
- de silicio
- Corriente
Máx.: 2,7 mA
Mín.: 0,01 mA
Descripción
- Control de acceso y seguridad
- Aparatos y herramientas
- Embalaje: epoxi transparente
- ESD: 2 kV según ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Clase 2)
- Rango espectral de sensibilidad: (típico) 380 ... 1150 nm
- Alta fotosensibilidad
- Alta linealidad
- Disponible en grupos
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Catálogos
Infrared Components
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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.