Módulo MOSFET de potencia PhotoMOS®
de conmutaciónpor resistencia

módulo MOSFET de potencia
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Características

Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
por resistencia
Tensión

Máx.: 1.500.000 mV

Mín.: 60.000 mV

Corriente

Máx.: 550 mA

Mín.: 10 mA

Descripción

El driver de alta potencia para MOSFETs fotovoltaicos de Panasonic está disponible en un tamaño de encapsulado pequeño (SSOP) con una mayor corriente de cortocircuito y tensión de salida a la puerta del MOSFET. Capaz de manejar MOSFETs de alta Vgs como los MOSFETs de SiC, este Driver es capaz de altas capacidades de conmutación a altas velocidades de conmutación. La sustitución de un relé electromecánico estándar por PhotoMOS® puede proporcionar ventajas adicionales, como un ciclo de vida más largo, una mayor resistencia a los golpes y las vibraciones, una baja resistencia a la conexión y un ciclo de vida teóricamente infinito. Esto hace que los relés PhotoMOS® sean una muy buena solución para los sistemas de monitorización de baterías, pruebas y mediciones, energía eléctrica y mercados industriales. Paquete SSOP en miniatura Funcionamiento de MOSFET de alta velocidad Número de pieza APV1111GVY para alta corriente de salida Baja resistencia de encendido del MOSFET Número de pieza APV3111GVY para alta tensión de salida Tamaño de paquete pequeño Mayor corriente de cortocircuito Mayor tensión de salida Alta velocidad de conmutación Cumple con RoHS/REACH Ahorro de espacio en la placa Mayores índices de seguridad Conmutación de MOSFETs de mayor potencia Reducción del tiempo de funcionamiento

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.