Matriz de fotodiodos avalancha XSJ-10-APD3A-200X-K10
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Matriz de fotodiodos avalancha - XSJ-10-APD3A-200X-K10 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - chip
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Características

Especificaciones
avalancha, chip

Descripción

El chip fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Las características de este producto 1X10 Array son ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior, con área activa iluminada superior de Φ200μm para un fácil montaje óptico; Alta capacidad de respuesta, alto factor de multiplicación y baja corriente oscura. El paquete de chip APD de 1,25 Gbps de alto rendimiento para tubo único TO-CAN puede mejorar la sensibilidad del receptor óptico, aplicaciones que OTDR. 1. Φ200μm área activa, 1X10 Array. 2. Die pitch: 340μm. 3. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. 4. Baja corriente oscura. 5. Excelente respuesta y alta ganancia. 6. Velocidad de transmisión de datos de hasta 1,25 Gbps. 7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de pruebas e inspección. Aplicaciones 1. Reflectómetro óptico en el dominio del tiempo (OTDR). 2. Telémetro láser/Medición de distancias. 3. Transmisión espacial de la luz. 4. Detección con poca luz. 5. Alarma láser y LIDAR.

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