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Matriz de fotodiodos avalancha XSJ-10-APD3A-200X-K10

matriz de fotodiodos avalancha
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Características

Especificaciones
avalancha

Descripción

Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto 1X10 Array se caracteriza por tener el ánodo en la parte superior y el cátodo en la parte posterior, con un área activa iluminada en la parte superior de Φ200μm para un fácil montaje óptico; alta capacidad de respuesta, alto factor de multiplicación y baja corriente oscura. El paquete de chip APD de alto rendimiento de 1,25 Gbps para TO-CAN de tubo único puede mejorar la sensibilidad del receptor óptico, aplicaciones que OTDR. Características Φ200μm de área activa, 1X10 Array. Die pitch: 340μm. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. Baja corriente oscura. Excelente responsividad y alta ganancia. Velocidad de datos de hasta 1,25Gbps. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. pruebas e inspecciones al 100%. Aplicaciones Reflectómetro óptico en el dominio del tiempo (OTDR). Telémetro láser/Medición de la distancia. Transmisión espacial de la luz. Detección de niveles de luz bajos. Alarma láser y LIDAR.

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