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Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD4-80
avalanchaPIN

fotodiodo InGaAs
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Características

Especificaciones
InGaAs, avalancha
Montaje
PIN

Descripción

Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto se caracteriza por tener el ánodo en la parte superior y el cátodo en la parte posterior, con un área activa iluminada en la parte superior de Φ80μm para facilitar el montaje óptico; alta capacidad de respuesta, alto factor de multiplicación y baja corriente oscura. El chip APD de alto rendimiento de 2,5 Gbps y el TO-CAN combinado con TIA pueden mejorar la sensibilidad del receptor óptico, aplicaciones que permiten la transmisión de datos para la actual fibra hasta el hogar (FTTH). Características Φ80μm de área activa. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. Baja corriente oscura. Excelente responsividad y alta ganancia. Velocidad de datos de hasta 2,5Gbps por encima. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. pruebas e inspecciones al 100%. Aplicaciones Teledetección láser de seguridad. Reflectómetro óptico en el dominio del tiempo (OTDR). Sistemas de comunicación óptica.

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