Fotodiodo InGaAs XSJ-10-APD4-55-TR1

avalanchaPIN

Descripción El chip de fotodiodo de avalancha (chip APD) es un tipo de dispositivo activo que proporciona una ganancia incorporada y amplifica la fotocorriente. Este producto se caracteriza por tener el ánodo en la parte superior y el cátodo en la parte posterior, con un tamaño de área activa iluminada en la parte superior de Φ55μm para facilitar el montaje óptico; alta capacidad de respuesta, alto factor de multiplicación y baja corriente oscura. El chip APD de alto rendimiento de 2,5 Gbps y el TO-CAN combinado con TIA pueden mejorar la sensibilidad del receptor óptico, aplicaciones que permiten la transmisión de datos para la actual fibra hasta el hogar (FTTH). Características Área activa de Φ55μm. Ánodo en la parte superior y cátodo en la parte posterior. Baja corriente oscura. Excelente responsividad y alta ganancia. Reflectividad<1,5% a 1550nm±50nm, <6% sobre 1250nm～1700nm. Velocidad de datos de hasta 2,5 Gbps. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. pruebas e inspecciones al 100%. Cumple con la norma RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 2.receptor OLT GPON/EPON de 5Gbps. Reflectómetro óptico de dominio temporal (OTDR)