Fotodiodo InGaAs XSJ-10-EMPD-120

PIN

Descripción El XSJ-10-EMPD-120 es un chip fotodetector de monitorización InGaAs InP PIN con iluminación lateral y estructura plana. El ánodo está en la parte delantera y el cátodo en la trasera, y la ventana de detección lateral del chip es de 120umX60um, adecuada para centros de datos y láseres emisores de bordes de telecomunicaciones. Tiene una gran capacidad de respuesta en la gama de longitudes de onda de 980 nm a 1620 nm y es adecuado para embalajes no herméticos. Características 1. Almohadilla de unión P en la parte superior, almohadilla de unión N en la parte inferior 2. Área detectable en los bordes: 120μmX60μm. 3. Alta responsabilidad y baja corriente oscura. 4. Admite procesos de soldadura eutéctica. 5. pruebas e inspecciones al 100%. 6. Cumple con un paquete no hermético. 7. Excelente fiabilidad: Todos los chips han superado los requisitos de cualificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE. 8. Cumplen la directiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Aplicaciones 1. Supervisión de la potencia del láser de la faceta posterior. 2. Comunicaciones ópticas digitales FTTH. 3. Interconexión óptica.