Matriz de fotodiodos chip PA1001
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Características
- Especificaciones
- chip
Descripción
El fotosensor consta de fotodiodos de 6 chips fabricados en tecnología planar. Los fotodiodos están pasivados con nitruro de silicio, que actúa como capa antirreflectante. A continuación se unen a la placa de circuito impreso y se protegen con pegamento epoxi transparente. El Array puede utilizarse en modo fotovoltaico o fotoconductor.
Características
Alta sensibilidad
Baja capacitancia
Apto para SMT
Alta fiabilidad
Longitud de onda máxima a 830 nm
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