Inductancia para test de inversor SKS-FZ-0060-CL/4
magnéticade alambre bobinadode ferrita

inductancia para test de inversor
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Características

Tecnología
magnética, de alambre bobinado, de ferrita
Características eléctricas
AC, de carga, trifásica
Aplicaciones
para motor, para convertidor, para test de inversor, para de variador de frecuencia
Otras características
reactor CA
Corriente primaria

60 A

Tensión

400 V

Descripción

El reactor de carga está diseñado para probar el inversor de frecuencia. Características del reactor de carga trifásico: Los devanados adoptan una estructura de devanado de lámina, que tiene una pequeña resistencia DC, fuerte capacidad de resistencia a cortocircuitos y capacidad de sobrecarga de corto tiempo; El uso de materiales de aislamiento compuestos con un nivel de aislamiento F o H permite que el producto mantenga un rendimiento confiable bajo condiciones de trabajo severas; El reactor tiene una baja densidad de flujo magnético, buena linealidad, fuerte capacidad de sobrecarga y bajo ruido; El núcleo de hierro adopta acero al silicio orientado de baja pérdida, el reactor tiene baja pérdida, alta eficiencia y bajo aumento de temperatura. Parámetros del reactor de carga: Potencia nominal: 0.55kvar-1000kvar Rango de voltaje: 380-460V Valor de inductancia: 0.49-20.0mH Modo de trabajo: trabajo a corto plazo o trabajo a largo plazo (durante dos horas o más a la corriente nominal) Error de valor de inductancia: ±10%, corriente de entrada de cortocircuito UVW,RST. Tipo de fase: trifásica Frecuencia: 50-60Hz Modo de refrigeración: AN/AF Clase de aislamiento: F/H Altitud: 1000m, el valor de la frecuencia de funcionamiento disminuye correspondientemente cuando se supera los 1000m. Rango de temperatura: -25℃~45℃. Temperatura de almacenamiento: -40℃~70℃ Humedad de funcionamiento: relativa 10%-90% Anti-contaminación: 3 clase Grado de anti-salinidad: salinidad 0.1mg/m³ Norma: Estrangulador IEC289:1987, estrangulador GB10229-88(eqv IEC289:1987),estrangulador JB9644-1999 para la transmisión eléctrica del semiconductor

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