Sensor de presión relativa t011 TBAR-UHIVS
resonantede silicioMEMS

Sensor de presión relativa - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - resonante / de silicio / MEMS
Sensor de presión relativa - t011 TBAR-UHIVS - SIAP+MICROS - resonante / de silicio / MEMS
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Características

Tipo
relativa
Tecnología
de silicio, MEMS, resonante
Otras características
de alta precisión, precalibrado
Rango de presión

Mín.: 0,5 bar
(7,25 psi)

Máx.: 1,1 bar
(15,95 psi)

Precisión

0,02 %

Estabilidad a largo plazo

0,005 %, 0,01 %

Temperatura de proceso

Mín.: -40 °C
(-40 °F)

Máx.: 60 °C
(140 °F)

Descripción

TBAR-UHIVS / USDI12 está equipado con un transductor con tecnología TERPS (Trench Etched Resonant Pressure Sensor), una tecnología en la que la presión se mide observando la variación de frecuencia de un elemento de silicio resonante micro-mecanizado. El sensor está alojado en una caja especial que garantiza una notable resistencia al polvo y a los líquidos, conservando unos excelentes estándares de funcionamiento incluso en condiciones climáticas adversas y desfavorables. Se lleva a cabo un minucioso proceso de calibración mediante una cámara climática que permite calibrar el sensor y adaptar su funcionamiento a altitudes específicas, en función de las condiciones ambientales reales de la instalación. Todo el procedimiento se lleva a cabo con precisión para obtener un alto nivel de exactitud y repetibilidad de la medición, en relación con la temperatura de funcionamiento

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