Detector con semiconductor PV-3,4
foto-electromagnéticodinámicode infrarrojos

detector con semiconductor
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Características

Tecnología
con semiconductor, foto-electromagnético, dinámico, de infrarrojos
Otras características
de longitud de onda

Descripción

2.4 - 3,6 µm, temperatura ambiente PV-3.4 es un detector fotovoltaico IR no refrigerado basado en una sofisticada heteroestructura de HgCdTe para obtener el mejor rendimiento y estabilidad. El dispositivo está optimizado para el máximo rendimiento en λopt = 3.4 μm. La longitud de onda de corte puede ser optimizada bajo pedido. El sesgo inverso Vb puede aumentar significativamente la velocidad de respuesta y el rango dinámico. También da como resultado un mejor rendimiento en las altas frecuencias, pero el ruido 1/f que aparece en los dispositivos sesgados puede reducir el rendimiento en las bajas frecuencias. Características: - Alto rendimiento en el rango espectral de 2,4 - 3,6 µm - Funcionamiento a temperatura ambiente - No se requiere un sesgo - No hay ruido 1/f Parámetro: PV-3,4 Material: MCT Escriba: Fotovoltaica Inmersión: No inmersión Refrigeración: No Longitud de onda/ λopt/ µm: 3,4 Paquete: BNC, TO8, TO39 Ventana: No Detectividad/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-: ≥5,0x109 Constante de tiempo/ τ/ ns: ≤260

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.