Convertidor DC/DC SMD SVseries
para aviónconmutado

convertidor DC/DC SMD
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Características

Configuración
SMD
Aplicaciones
para avión
Otras características
conmutado
Tensión de entrada

Máx.: 50 V

Mín.: 15 V

Tensión de salida

3,3 V, 5 V, 5,2 V, 12 V, 15 V

Potencia

4 W

Descripción

Los convertidores DC-DC de la serie SV de VPT han sido probados en el lanzamiento de sistemas para misiones LEO, MEO, GEO y en el espacio profundo. Calificado para MIL-PRF-38534 Clase K en SMDs DLA, estas unidades disponibles le ayudan a hacer que su sistema despegue rápidamente. Vea la herencia del programa espacial de VPT. Combine nuestra extensa familia de convertidores DC-DC para espacio con los convertidores de punto de carga VPT para espacio para crear un sistema de alimentación ligero, extremadamente eficiente y listo para el espacio. Midiendo aproximadamente una pulgada cuadrada, el convertidor DC-DC de SVSA proporciona hasta 6W de potencia de salida de un paquete eficiente, ligero y que ahorra espacio. Características: Salidas individuales de 3.3V, 5V, 5.2V, 12V, y 15V Potencia de salida de hasta 6W Diseño tolerante a fallos con tecnología de aislamiento magnético inmune a la radiación - sin optoaisladores Rango de entrada extra-ancho de 15V a 50V por MIL-STD-704, transitorios a 80V durante 1 seg Envases totalmente herméticos de perfil extremadamente bajo (0,270 pulgadas) y peso ligero (15 g) Funcionamiento a temperatura de caja ancha de -55°C a +125°C con rendimiento completo en el rango de temperatura Frecuencia de conmutación fija Caracterizaciones a nivel espacial: Caracterizado y garantizado a 30krads (Si) por el plan RHA de VPT especificado por MIL-PRF-38534, Apéndice G, Nivel P con margen de 2x Caracterizado y probado para TID (dosis ionizante total) en HDR (tasa de dosis alta) y LDR (tasa de dosis baja ELDRS) según el plan RHA del VPT SEE caracterizado por no tener eventos destructivos hasta LET = 44 MeV-cm2/mg incluyendo SEB, SEL, SEGR, y SEFI. Sin interrupciones, paradas, enganches ni quemaduras La caracterización y las pruebas se realizan en el nivel crítico de pieza por pieza de componente semiconductor (RLAT) a partir de lotes de semiconductores trazables

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