Los sustratos de nitruro de silicio (Si₃N₄) de Innovacera combinan una excepcional conductividad térmica, una elevada resistencia mecánica y una excelente tenacidad a la fractura, proporcionando una fiabilidad extraordinaria para aplicaciones electrónicas y de gestión térmica de alta potencia. Con un coeficiente de expansión térmica muy similar al del silicio y una resistencia superior al choque térmico, estos sustratos mantienen un rendimiento estable en condiciones extremas. Sus superficies diseñadas con precisión y sus especificaciones personalizables los hacen ideales para módulos de potencia IGBT, disipadores térmicos de alta potencia y módulos inalámbricos avanzados.Características:Alta conductividad térmicaCoeficiente de expansión térmica cercano al de la oblea de silicioAlta resistencia y tenacidadAplicación:Módulo de potencia IGBT de alta potenciaDisipador térmico de alta potenciaMódulo inalámbricoTabla de propiedades del material:PropiedadCondiciones de pruebaUnidadSi₃N₄ (SN-90)Material--Si₃N₄Apariencia--grisRugosidad de la superficieRaμm0,2~0,75Densidad-g/cm³≥3.2Resistencia a la flexiónResistencia a la flexión en 3 puntosMPa≥750Dureza VickersCarga 4.9GPa≥14Absorción de agua-%0Conductividad térmica25℃W/(m-k)≥85Coeficiente de dilatación térmica lineal25-500℃x10-⁶ mm/℃2~4Resistencia al choque térmico800℃Tiempo≥10Calor específico-J/(kg-K)680Constante dieléctrica1MHz/25℃-7~8Pérdida dieléctrica1MHz/25℃x10-⁴≤4Volumen resistividad25℃Ω-cm>10¹⁴Tensión de ruptura-kV/mm>15ReflectividadMedidor de reflectividad--BlancuraMedidor de blancura--Especificaciones y dimensiones:MaterialUnidadSi₃N₄Dimensiones efectivas (A, B)mm138*190Espesor (T)mm0.25, 0,32Tolerancia de espesormm±5% (Mín ±0,03mm)Alabeo (C)mm≤0,3%Rugosidad superficialμm0,2-0.75El tamaño, el grosor y la rugosidad de la superficie se pueden personalizarProcesamiento:Procesamiento láserTabla de rugosidad de la hoja de rectificado y pulidoProyectoCalificadoGrado especialTolerancia de dimensión interna±0,05mm±0,03mmTolerancia de dimensión externa±0,15mm±0,1mmTolerancia de agujero (φ0,07-0,15mm)±0.05mm±0,02mmTolerancia del agujero (φ>0,15mm)±0,1mm±0,02mmRugosidad de la superficie de rectificado (μm)0,3-0,60,3-0,5Rugosidad de la superficie de rectificado fino (μm)0,1-0,40,1-0,3Rugosidad de la superficie de pulido (μm)≤0.1≤0,05Etiquetas relacionadas: sustrato cerámico de alta resistencia, sustrato cerámico Si3N4, sustrato Si3N4 para módulo de potencia, sustrato de nitruro de silicioCaracterísticas técnicas / especificaciones:Material: Nitruro de silicio (Si₃N₄)Color: GrisRugosidad de la superficie: 0,2~0,75 μmDensidad: ≥3,2 g/cm³Resistencia a la flexión: ≥750 MPaDureza Vickers: ≥14 GPaAbsorción de agua: 0%Conductividad térmica: ≥85 W/(m-k)Coeficiente de expansión térmica lineal: 2~4 x10-⁶ mm/℃Resistencia al choque térmico: ≥10 veces a 800℃Calor específico: 680 J/(kg-K)Constante dieléctrica: 7~8 (1MHz/25℃)Pérdida dieléctrica: ≤4 x10-⁴ (1MHz/25℃)Resistividad volumétrica: >10¹⁴ Ω-cm (25℃)Tensión de ruptura: >15 kV/mmDimensiones efectivas: 138*190 mmGrosor: 0,25, 0,32 mmTolerancia de grosor: ±5% (Mín ±0,03mm)Alabeo: ≤0,3%Procesamiento: Procesamiento láser, esmerilado, pulidoTamaño, grosor y rugosidad de la superficie personalizables
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