Módulos fotovoltaicos de silicio monocristalino Suntech

Potencia de pico: 425, 415, 435, 430 W
Tensión de circuito abierto: 32,5, 32,3, 32,2, 31,7, 31,8 V
Corriente de cortocircuito: 14,2, 14,1, 14, 14,3 A

... utilizan obleas de silicio de tipo N de 182 mm con una eficiencia de célula superior al 25,0%. También tiene un rendimiento de casi cero LID que mejora en gran medida la potencia del módulo. La introducción ...

Potencia de pico: 570, 575, 580, 560, 565 W
Tensión de circuito abierto: 51,4, 51,3, 51,2, 51, 50,9 V
Corriente de cortocircuito: 14,3, 14,2, 14,1, 14 A

... utilizan obleas de silicio de tipo N de 182 mm con una eficiencia de célula superior al 25,0%. También tiene un rendimiento de casi cero LID que mejora en gran medida la potencia del módulo. La introducción ...

Potencia de pico: 605 W - 625 W
Tensión de circuito abierto: 54,3, 54,2, 54,1, 54, 54,5 V
Corriente de cortocircuito: 14,5, 14,4, 14,3 A

... utilizan obleas de silicio de tipo N de 182 mm con una eficiencia de célula superior al 25,0%. También tiene un rendimiento de casi cero LID que mejora en gran medida la potencia del módulo. La introducción ...

Potencia de pico: 321,6 W - 440 W
Tensión de circuito abierto: 36,6 V - 38,98 V
Corriente de cortocircuito: 11,36 A - 14,41 A

... los módulos Eficiencia de los módulos de hasta el 22,5% gracias a la avanzada tecnología de las células y al proceso de fabricación Doble vidrio ligero Estructura ligera de doble cristal que reduce ...

Potencia de pico: 430, 435, 420, 425, 415 W
Tensión de circuito abierto: 38,9, 38,7, 38,6, 38,5, 38,3 V
Corriente de cortocircuito: 14,3, 14,1, 14,2, 14 A

... utilizan obleas de silicio de tipo N de 182 mm con una eficiencia de célula superior al 25,0%. También tiene un rendimiento de casi cero LID que mejora en gran medida la potencia del módulo. La introducción ...

Potencia de pico: 321,6 W - 400 W
Tensión de circuito abierto: 36,6 V - 38,98 V
Corriente de cortocircuito: 11,36 A - 14,41 A

... que reduce eficazmente el índice de rotura de los módulos. El tamaño y el peso ideales del módulo facilitan la manipulación y la instalación Resiste entornos adversos Calidad fiable que hace que el módulo ...

Potencia de pico: 390, 395, 400, 405, 410 W
Tensión de circuito abierto: 37,5, 37,2, 37, 36,8, 36,6 V
Corriente de cortocircuito: 13,7, 13,6, 13,9, 13,8 A

Wafers de silicio de gran formato de 182 mm con una eficiencia del módulo de hasta el 21,5% El módulo Suntech Ultra V adopta una wafer de silicio de 182 mm, aumenta ...

Potencia de pico: 300 W - 415 W
Tensión de circuito abierto: 34,7 V - 37,67 V
Corriente de cortocircuito: 11,02 A - 13,95 A

Wafers de silicio de gran formato de 182 mm con una eficiencia del módulo de hasta el 21,5% El módulo Suntech Ultra V adopta una wafer de silicio de 182 mm, aumenta ...

Potencia de pico: 490 W - 670 W
Tensión de circuito abierto: 43 V - 46,45 V
Corriente de cortocircuito: 14,7 A - 18,43 A

Wafers de silicio de gran formato de 210 mm con una eficiencia del módulo de hasta 21,6% Basado en una wafer de silicio de gran formato de 210 mm y una celda monocristalina ...

Potencia de pico: 496,1 W - 675 W
Tensión de circuito abierto: 46,1 V
Corriente de cortocircuito: 14,77 A - 18,47 A

Wafers de silicio de gran formato de 210 mm con una eficiencia del módulo de hasta 21,6% Basado en una wafer de silicio de gran formato de 210 mm y una celda monocristalina ...